精鋁經過區熔提(ti)純(chun)，只(zhi)能達到(dao)5 的(de)高純(chun)鋁，但如使用在(zai)有(you)機物電解(jie)液(ye)中進(jin)行電解(jie)，可(ke)將鋁提(ti)純(chun)到(dao)99.9995%，盤錦2N金靶材，并可(ke)除去(qu)有(you)不利分配(pei)系數(shu)的(de)雜質(zhi)，然后進(jin)行區熔提(ti)純(chun)數(shu)次，就能達到(dao)接(jie)近于 7 的(de)純(chun)度，雜質(zhi)總含量

制(zhi)備(bei)化合物半(ban)導體的(de)金(jin)屬如銦(yin)、磷，哪(na)家(jia)有2N金(jin)靶(ba)材，可(ke)利(li)用氯化物精餾(liu)氫(qing)還原(yuan)、電解精煉、區熔及拉晶提純等(deng)方法制(zhi)備(bei)超純金(jin)屬，總(zong)金(jin)屬雜(za)質含量為 0.1～1ppm。其他金(jin)屬如銀、金(jin)、鎘、、鉑等(deng)也能達到≥6 的(de)水平。

對圓周方向的電阻值的不均勻依然無法改善。

此外(wai)，采用連續(xu)硫化(hua)法時(shi)，如果硫化(hua)時(shi)的熱傳遞沒有設法盡(jin)量(liang)達到均(jun)勻，則擠(ji)壓后的硫化(hua)速(su)度不(bu)一致，這樣(yang)可能電阻值的不(bu)均(jun)勻程度反(fan)而大于間歇式硫化(hua)法。特別是在圓周(zhou)方向上(shang)這種(zhong)傾向更顯著。

采用連續(xu)硫化法(fa)時，在擠壓機的擠壓筒內(nei)的半(ban)徑(jing)方向上(shang)有非常大的剪切速度分布，這(zhe)可能會影響電子導電性填充劑的分散。

金屬(shu)靶(ba)材就是(shi)高速荷能粒子(zi)轟擊的目標(biao)材料。有金屬(shu)類(lei)(lei)、合金類(lei)(lei)、氧化物類(lei)(lei)等等。

簡單說的話，2N金靶(ba)材(cai)廠(chang)，例如(ru)(ru)：蒸發磁控(kong)濺(jian)射鍍(du)膜(mo)是加熱蒸發鍍(du)膜(mo)......鋁膜(mo)等(deng)。更換不(bu)同(tong)的靶(ba)材(cai)（如(ru)(ru)鋁、銅、不(bu)銹鋼、鈦、鎳靶(ba)等(deng)），即可(ke)得到不(bu)同(tong)的膜(mo)系（如(ru)(ru)超硬、耐磨(mo)、防腐的合金膜(mo)等(deng)）。

應用于顯示屏的阻擋層或調色(se)層，筆記本電腦(nao)的裝飾層、電池的封(feng)裝等.