熱(re)(re)壓(ya)法(fa)：ITO靶(ba)材(cai)(cai)(cai)的熱(re)(re)壓(ya)制(zhi)(zhi)作(zuo)過程是在(zai)石墨或氧化鋁制(zhi)(zhi)的模具(ju)內充填入適當粉末以(yi)后，哪家有(you)銀(yin)鈀(ba)靶(ba)材(cai)(cai)(cai)，以(yi) 100kgf/cm 2～1000kgf/cm 2的壓(ya)力單軸向加壓(ya)，同時(shi)以(yi)1000℃～1600℃進行燒(shao)(shao)(shao)結。熱(re)(re)壓(ya)工藝(yi)制(zhi)(zhi)作(zuo)過程所需的成(cheng)型壓(ya)力較(jiao)小，燒(shao)(shao)(shao)結溫(wen)度較(jiao)低，銀(yin)鈀(ba)靶(ba)材(cai)(cai)(cai)報價，燒(shao)(shao)(shao)結時(shi)間較(jiao)短。但(dan)熱(re)(re)壓(ya)法(fa)生(sheng)產(chan)(chan)的ITO靶(ba)材(cai)(cai)(cai)由于缺氧率高，寧夏(xia)銀(yin)鈀(ba)靶(ba)材(cai)(cai)(cai)，氧含(han)量分(fen)布(bu)不均勻(yun)，從而影響(xiang)了生(sheng)產(chan)(chan)ITO薄膜的均勻(yun)性，且不能生(sheng)產(chan)(chan)大尺寸的靶(ba)。

燒結(jie)法(fa)：?ITO靶(ba)材燒結(jie)制作法(fa)是(shi)在以銦(yin)錫氧化物(wu)共(gong)沉淀(dian)粉末或氧化銦(yin)和氧錫混合粉末為原料，加(jia)入(ru)(ru)粘結(jie)劑和分散劑混合后(hou)，壓(ya)力成(cheng)型，銀鈀靶(ba)材廠，脫脂，然(ran)后(hou)于(yu)1400℃---1600℃燒結(jie)。燒結(jie)法(fa)設備投入(ru)(ru)少，成(cheng)本低，產(chan)品密度高、缺(que)氧率(lv)低，尺寸大、但制造過程中對粉末的選擇性(xing)很強。

ITO靶制備的透明導(dao)電薄膜廣泛應用于數碼相機、投影電視、數碼顯示(shi)的各(ge)種(zhong)光(guang)學系統(tong)中(zhong)，需求(qiu)量都(dou)很大(da)。

金屬靶材材質分為：

鎳靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Ni、鈦(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Ti、鋅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Zn、鉻靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Cr、鎂(mei)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Mg、鈮靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Nb、錫靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Sn、鋁(lv)(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Al、銦靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、In、鐵靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Fe、鋯鋁(lv)(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、ZrAl、鈦(tai)鋁(lv)(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、TiAl、鋯靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Zr、鋁(lv)(lv)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、AlSi、硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Si、銅(tong)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Cu、鉭(tan)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)T、a、鍺(zang)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Ge、銀靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Ag、鈷靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Co、金(jin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Au、釓靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Gd、鑭靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、La、釔靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Y、鎢靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、w、不銹鋼靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鎳鉻靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、NiCr、鉿靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Hf、鉬靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Mo、鐵鎳靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、FeNi、鎢靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、W等。