鍍(du)(du)膜(mo)靶材(cai)是通過磁控(kong)濺射、多弧(hu)離子鍍(du)(du)或(huo)其(qi)他類型的(de)鍍(du)(du)膜(mo)系統在適當工藝條件(jian)下濺射在基板上形成各種功能薄(bo)膜(mo)的(de)濺射源(yuan)。簡單說的(de)話，上海(hai)純銀導電(dian)輥，靶材(cai)就是高速荷能粒子轟擊的(de)目標材(cai)料，不同功率密(mi)度、不同輸出波形、不同波長的(de)激(ji)光(guang)與不同的(de)靶材(cai)相互作(zuo)用(yong)時，純銀導電(dian)輥報價(jia)，會(hui)產(chan)生不同的(de)殺(sha)傷破壞效應(ying)。

各種類型(xing)的濺射(she)(she)薄膜(mo)材料(liao)在半導(dao)體集成電路(VLSI)、光(guang)碟、平面顯示器(qi)以及工件(jian)(jian)的表面涂層等方(fang)面都得(de)到了廣泛的應用(yong)。20世紀90年代以來，濺射(she)(she)靶材及濺射(she)(she)技術的同(tong)步(bu)發展，極大地滿足了各種新型(xing)電子元器(qi)件(jian)(jian)發展的需求(qiu)。

平面(mian)顯(xian)示器（FPD)這些年來大幅沖擊以(yi)(yi)陰極(ji)射(she)(she)線管(CRT)為主的(de)電(dian)腦(nao)顯(xian)示器及電(dian)視機市(shi)場，亦將(jiang)帶動ITO靶材(cai)(cai)(cai)的(de)技術與市(shi)場需求。如(ru)今的(de)iTO靶材(cai)(cai)(cai)有兩種(zhong)．一(yi)種(zhong)是(shi)采用納米狀(zhuang)態的(de)氧化(hua)銦混(hun)合后燒(shao)結，一(yi)種(zhong)是(shi)采用銦錫合金(jin)靶材(cai)(cai)(cai)。銦錫臺金(jin)靶材(cai)(cai)(cai)可以(yi)(yi)采用直流反應(ying)濺射(she)(she)制(zhi)造ITO薄(bo)(bo)膜，但(dan)是(shi)靶表面(mian)會氧化(hua)而(er)影響濺射(she)(she)率，并且(qie)不易得到大尺寸(cun)的(de)臺金(jin)靶材(cai)(cai)(cai)。如(ru)今一(yi)般采取方法(fa)生產ITO靶材(cai)(cai)(cai)，純銀導電(dian)輥(gun)廠家，利(li)用L}IRF反應(ying)濺射(she)(she)鍍膜．它具有沉積速度快(kuai)．且(qie)能控(kong)制(zhi)膜厚，電(dian)導率高，薄(bo)(bo)膜的(de)一(yi)致性好(hao)，與基板的(de)附著力強(qiang)等優點。

用于復印(yin)機(ji)和(he)打印(yin)機(ji)等(deng)的(de)帶電輥(gun)、顯影輥(gun)、色粉供(gong)給輥(gun)、轉印(yin)輥(gun)等(deng)都必(bi)須具備適當的(de)穩定的(de)電阻值。

以往，使上(shang)述輥筒(tong)具有導電(dian)(dian)性的(de)(de)(de)(de)方(fang)法包括采用(yong)在橡(xiang)(xiang)膠(jiao)(jiao)中(zhong)混入了金屬氧(yang)化物粉末和碳黑等導電(dian)(dian)性填充(chong)劑的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)子(zi)導電(dian)(dian)性橡(xiang)(xiang)膠(jiao)(jiao)的(de)(de)(de)(de)方(fang)法；采用(yong)聚氨酯橡(xiang)(xiang)膠(jiao)(jiao)、表(biao)氯橡(xiang)(xiang)膠(jiao)(jiao)等離子(zi)導電(dian)(dian)性橡(xiang)(xiang)膠(jiao)(jiao)(聚合物)或含有季銨(an)鹽等離子(zi)導電(dian)(dian)材(cai)料的(de)(de)(de)(de)離子(zi)導電(dian)(dian)性聚合物的(de)(de)(de)(de)組合物的(de)(de)(de)(de)方(fang)法。