光(guang)伏發(fa)電(dian)中半(ban)片(pian)光(guang)伏組(zu)(zu)件(jian)的(de)(de)優(you)勢半(ban)片(pian)組(zu)(zu)件(jian)憑(ping)借(jie)其(qi)特(te)殊的(de)(de)并串結(jie)構，可(ke)以(yi)使(shi)組(zu)(zu)件(jian)在(zai)縱向排布提(ti)高支(zhi)架與土地利用率(lv)的(de)(de)同(tong)時減(jian)少陰影遮擋造成(cheng)的(de)(de)發(fa)電(dian)量損失。在(zai)陰影遮擋和組(zu)(zu)件(jian)邊(bian)沿積(ji)灰情(qing)況下(xia)，鎮江太陽(yang)能(neng)組(zu)(zu)件(jian)，半(ban)片(pian)技術可(ke)將發(fa)電(dian)量損失多減(jian)少3/4;尤其(qi)是在(zai)全寬向遮擋情(qing)況下(xia)，常規組(zu)(zu)件(jian)輸(shu)出功率(lv)幾乎為零(ling)，而(er)半(ban)片(pian)組(zu)(zu)件(jian)得(de)益于內部電(dian)路設計，仍然保有(you)一半(ban)左(zuo)右的(de)(de)輸(shu)出功率(lv)。

光(guang)(guang)伏(fu)組(zu)件材(cai)料分類晶體硅電(dian)(dian)(dian)池(chi)板(ban)：多晶硅太(tai)(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)、單晶硅太(tai)(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)。非晶硅電(dian)(dian)(dian)池(chi)板(ban)：薄膜太(tai)(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)、有機太(tai)(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)。化(hua)學染料電(dian)(dian)(dian)池(chi)板(ban)：染料敏化(hua)太(tai)(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)。單晶硅單晶硅光(guang)(guang)伏(fu)組(zu)件的光(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)轉換效率為18%左右，太(tai)(tai)陽能(neng)(neng)組(zu)件生產(chan)，的達到24%，這是所有種類的光(guang)(guang)伏(fu)組(zu)件中光(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)轉換效率的，但(dan)制(zhi)作成本很大，以致于(yu)它還(huan)不能(neng)(neng)被普遍(bian)地使(shi)用。由于(yu)單晶硅一般采用鋼化(hua)玻璃以及防(fang)水樹脂進(jin)行封(feng)裝，因此其堅固耐用，使(shi)用壽命可達25年。

光(guang)伏組(zu)(zu)件(jian)(jian)是如何影(ying)(ying)響屋頂光(guang)伏發電量的(de)一、組(zu)(zu)件(jian)(jian)灰塵影(ying)(ying)響對于長時(shi)間(jian)運(yun)行(xing)的(de)光(guang)伏發電系統(tong)，面(mian)板(ban)(ban)積(ji)塵對其影(ying)(ying)響不可小覷。面(mian)板(ban)(ban)表面(mian)的(de)灰塵具(ju)有反射(she)、散(san)射(she)和吸收太(tai)陽(yang)(yang)輻(fu)射(she)的(de)作用(yong)，可降(jiang)低太(tai)陽(yang)(yang)的(de)透(tou)過率，單晶太(tai)陽(yang)(yang)能組(zu)(zu)件(jian)(jian)，造(zao)成面(mian)板(ban)(ban)接收到的(de)太(tai)陽(yang)(yang)輻(fu)射(she)減少，太(tai)陽(yang)(yang)能組(zu)(zu)件(jian)(jian)廠家，輸出功率也隨之減小，其作用(yong)與灰塵累積(ji)厚(hou)度成正比。1。遮擋(dang)(dang)影(ying)(ying)響灰塵附著在電池(chi)板(ban)(ban)表面(mian)，會(hui)對光(guang)線產生遮擋(dang)(dang)，吸收和反射(she)等作用(yong)。