MOS管(guan)FET柵(zha)源保護：

1）避免 柵極(ji) di/dt 過(guo)高

因為選用驅動集成ic，其輸出阻抗較(jiao)低，直推(tui)功率管(guan)會造(zao)成推(tui)動的(de)功率管(guan)迅(xun)速的(de)開啟和斷連(lian)，有可能導(dao)致功率管(guan)漏(lou)源極(ji)間(jian)(jian)的(de)工作電(dian)壓波(bo)動，或是有可能導(dao)致功率管(guan)遭到過高的(de) di/dt 而造(zao)成誤通。為預防以上問題的(de)產生，寧海大電(dian)流mos，一般(ban)在 MOS 控(kong)制器(qi)的(de)導(dao)出與 MOS 管(guan)的(de)柵極(ji)中間(jian)(jian)串連(lian)一個電(dian)阻器(qi)，電(dian)阻器(qi)的(de)尺寸一般(ban)選擇(ze)幾(ji)十歐母。

2）避免 柵(zha)源極間(jian)過壓

因(yin)為柵(zha)(zha)極(ji)(ji)與(yu)源極(ji)(ji)的(de)特性(xing)阻抗很(hen)高，漏極(ji)(ji)與(yu)源極(ji)(ji)間的(de)工(gong)作(zuo)電(dian)壓(ya)(ya)基因(yin)突變(bian)會根據極(ji)(ji)間電(dian)容藕(ou)合到柵(zha)(zha)極(ji)(ji)而造成非(fei)常(chang)高的(de)柵(zha)(zha)源頂i峰(feng)工(gong)作(zuo)電(dian)壓(ya)(ya)，此工(gong)作(zuo)電(dian)壓(ya)(ya)會使非(fei)常(chang)薄(bo)的(de)柵(zha)(zha)源空氣氧(yang)化層穿透(tou)(tou)，與(yu)此同(tong)時柵(zha)(zha)極(ji)(ji)非(fei)常(chang)容易累積正電(dian)荷也會使柵(zha)(zha)源空氣氧(yang)化層穿透(tou)(tou)，因(yin)此，要在 MOS 管(guan)(guan)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)串聯穩壓(ya)(ya)極(ji)(ji)管(guan)(guan)以限定柵(zha)(zha)極(ji)(ji)工(gong)作(zuo)電(dian)壓(ya)(ya)在穩壓(ya)(ya)極(ji)(ji)管(guan)(guan)值下，大電(dian)流(liu)mos公司，保(bao)護 MOS 管(guan)(guan)不被穿透(tou)(tou)。

3）安全防(fang)護漏(lou)源極中間過壓

盡管(guan)漏(lou)源擊穿電(dian)壓 VDS 一(yi)般都非常(chang)大，但假如漏(lou)源極不用保護電(dian)路(lu)，一(yi)樣有可能由于器件(jian)電(dian)源開關一(yi)瞬間電(dian)流(liu)量(liang)的基(ji)因突變(bian)而造成(cheng)漏(lou)極頂i峰工作電(dian)壓，從(cong)而毀壞(huai) MOS 管(guan)，功率(lv)管(guan)電(dian)源開關速率(lv)越快，造成(cheng)的過壓也(ye)就越高(gao)。為了(le)更好地避免(mian)器件(jian)毀壞(huai)，一(yi)般選用齊納二極管(guan)鉗位和(he) RC 緩存(cun)電(dian)路(lu)等保護對策。

公司成立于2013年(nian)7月，大電(dian)(dian)流mos萬(wan)芯半導體，專(zhuan)注(zhu)從事(shi)單片(pian)(pian)機的應用(yong)開發及生產，并提供全系列(lie)中低壓MOS及電(dian)(dian)源、鋰電(dian)(dian)IC等(deng)的銷售，在LED及小家電(dian)(dian)等(deng)消費(fei)類電(dian)(dian)子產品上應用(yong)廣泛，為您量身定制適合的芯片(pian)(pian)方案(an)。

說白了的(de)(de)過流(liu)(liu)保(bao)護(hu)，便是在輸出(chu)短(duan)路(lu)故障或過載(zai)時(shi)對電(dian)源或負荷(he)開展維護(hu)，現階段對電(dian)源過流(liu)(liu)保(bao)護(hu)有多種方式，如恒(heng)流(liu)(liu)形(xing)、恒(heng)輸出(chu)功(gong)率型等(deng)，可(ke)是這種過流(liu)(liu)保(bao)護(hu)電(dian)路(lu)的(de)(de)制(zhi)定都離不了MOS管(guan)(guan)，一(yi)款高的(de)(de)品質的(de)(de)MOS管(guan)(guan)能夠提高電(dian)源過流(liu)(liu)保(bao)護(hu)的(de)(de)作用(yong)。

公司成(cheng)立于2013年7月，專(zhuan)注(zhu)從(cong)事單片(pian)(pian)機的應用開發及生產(chan)，并提供全系列中低壓MOS及電(dian)(dian)(dian)源、鋰電(dian)(dian)(dian)IC等(deng)的銷售，在LED及小(xiao)家電(dian)(dian)(dian)等(deng)消費類電(dian)(dian)(dian)子產(chan)品上應用廣泛，WP大電(dian)(dian)(dian)流mos，為(wei)您量身定(ding)制適(shi)合的芯片(pian)(pian)方案。

我(wo)國是(shi)全(quan)世(shi)界(jie)極(ji)大的(de)(de)MOS器件市(shi)場，2020年(nian)，我(wo)國MOS器件市(shi)場規模約為187億(yi)元，在(zai)全(quan)世(shi)界(jie)總(zong)市(shi)場中的(de)(de)占比(bi)達(da)到45%。我(wo)國是(shi)全(quan)世(shi)界(jie)極(ji)大的(de)(de)智(zhi)能(neng)手機、汽(qi)車(che)生產國，5G技術(shu)處于全(quan)世(shi)界(jie)的(de)(de)頭部位置，且(qie)(qie)新型電子產品不斷(duan)問(wen)世(shi)，因此(ci)MOS器件市(shi)場前景好(hao)，且(qie)(qie)高的(de)(de)性能(neng)的(de)(de)產品需求不斷(duan)上升。這(zhe)些因素有利于我(wo)國圍柵硅納米線MOS器件行(xing)業發展。