MOS管FET柵源保護(hu)：

1）避(bi)免 柵極 di/dt 過高

因(yin)為選用(yong)驅動(dong)集成ic，其輸出阻抗較(jiao)低，直推功(gong)率(lv)(lv)管(guan)(guan)會造成推動(dong)的(de)(de)功(gong)率(lv)(lv)管(guan)(guan)迅速的(de)(de)開啟和斷(duan)連，有(you)可能(neng)(neng)導(dao)致(zhi)功(gong)率(lv)(lv)管(guan)(guan)漏(lou)源極間(jian)的(de)(de)工作(zuo)電(dian)壓波動(dong)，寧海WPmos管(guan)(guan)，或是有(you)可能(neng)(neng)導(dao)致(zhi)功(gong)率(lv)(lv)管(guan)(guan)遭到(dao)過高的(de)(de) di/dt 而造成誤通。為預防以上問題的(de)(de)產生，一般在 MOS 控制器(qi)的(de)(de)導(dao)出與 MOS 管(guan)(guan)的(de)(de)柵(zha)極中(zhong)間(jian)串連一個電(dian)阻器(qi)，電(dian)阻器(qi)的(de)(de)尺寸一般選擇幾十歐(ou)母。

2）避免 柵源極(ji)間過壓(ya)

因為柵(zha)(zha)(zha)(zha)極與源極的特性阻抗很高(gao)，漏極與源極間的工作(zuo)(zuo)電(dian)(dian)壓基因突變會(hui)根(gen)據極間電(dian)(dian)容藕合到柵(zha)(zha)(zha)(zha)極而造成非(fei)(fei)常(chang)高(gao)的柵(zha)(zha)(zha)(zha)源頂i峰工作(zuo)(zuo)電(dian)(dian)壓，此工作(zuo)(zuo)電(dian)(dian)壓會(hui)使非(fei)(fei)常(chang)薄的柵(zha)(zha)(zha)(zha)源空(kong)氣氧化(hua)層穿透，與此同時柵(zha)(zha)(zha)(zha)極非(fei)(fei)常(chang)容易累積正電(dian)(dian)荷也會(hui)使柵(zha)(zha)(zha)(zha)源空(kong)氣氧化(hua)層穿透，因此，要在(zai) MOS 管(guan)柵(zha)(zha)(zha)(zha)極串(chuan)聯穩(wen)壓極管(guan)以(yi)限(xian)定(ding)柵(zha)(zha)(zha)(zha)極工作(zuo)(zuo)電(dian)(dian)壓在(zai)穩(wen)壓極管(guan)值下，保護 MOS 管(guan)不被穿透。

3）安全(quan)防護漏源極(ji)中間過壓

盡(jin)管(guan)漏源(yuan)擊穿(chuan)電(dian)壓(ya) VDS 一般都非常大，但(dan)假如漏源(yuan)極(ji)不用(yong)保護電(dian)路，一樣(yang)有可(ke)能由(you)于器(qi)件電(dian)源(yuan)開關一瞬間(jian)電(dian)流量的(de)基(ji)因突變(bian)而造成(cheng)漏極(ji)頂i峰工作(zuo)電(dian)壓(ya)，從而毀壞 MOS 管(guan)，功率管(guan)電(dian)源(yuan)開關速(su)率越(yue)快，造成(cheng)的(de)過壓(ya)也就越(yue)高。為了更(geng)好地(di)避免器(qi)件毀壞，一般選用(yong)齊納二極(ji)管(guan)鉗位和 RC 緩(huan)存電(dian)路等保護對策。

公司成立于(yu)2013年7月(yue)，專注從(cong)事單片機的(de)應(ying)用(yong)開發及(ji)(ji)生產(chan)，并提供全系(xi)列中低壓MOS及(ji)(ji)電源、鋰電IC等的(de)銷售，在LED及(ji)(ji)小家電等消費類(lei)電子產(chan)品上應(ying)用(yong)廣泛(fan)，WPmos管哪(na)家好，為您量身定制適(shi)合(he)的(de)芯片方案。

MOS管(guan)(guan)制造商采用(yong)RDS(ON)參(can)數來(lai)定義(yi)導(dao)通阻抗，對開關應(ying)用(yong)來(lai)說，RDS(ON)也(ye)(ye)是重要的(de)(de)(de)(de)器件特性。數據手冊(ce)定義(yi)RDS(ON)與(yu)柵極(或(huo)驅(qu)(qu)動(dong))電壓VGS以(yi)及流經開關的(de)(de)(de)(de)電流有(you)關，但對于充分的(de)(de)(de)(de)柵極驅(qu)(qu)動(dong)，RDS(ON)是一個相(xiang)對靜態參(can)數。一直處于導(dao)通的(de)(de)(de)(de)MOS管(guan)(guan)很(hen)容(rong)易發熱(re)。另(ling)外(wai)，慢(man)慢(man)升高的(de)(de)(de)(de)結(jie)溫也(ye)(ye)會導(dao)致RDS(ON)的(de)(de)(de)(de)增(zeng)加(jia)。MOS管(guan)(guan)數據手冊(ce)規定了熱(re)阻抗參(can)數，WPmos管(guan)(guan)報價，其定義(yi)為MOS管(guan)(guan)封裝的(de)(de)(de)(de)半導(dao)體(ti)結(jie)散熱(re)能力。RθJC的(de)(de)(de)(de)簡單的(de)(de)(de)(de)定義(yi)是結(jie)到管(guan)(guan)殼的(de)(de)(de)(de)熱(re)阻抗。

公司成立于2013年7月，WPmos管生(sheng)產廠家，專(zhuan)注從事單(dan)片機的應用(yong)開發及生(sheng)產，并(bing)提供(gong)全系列(lie)中低(di)壓MOS及電源(yuan)、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消(xiao)費類電子產品上應用(yong)廣泛，為您量(liang)身定制適合的芯片方案。

場效應(ying)管的主要參(can)(can)數(shu)(shu)有(you)很多種(zhong)，其中(zhong)包含直(zhi)流(liu)(liu)電(dian)流(liu)(liu)、交流(liu)(liu)電(dian)流(liu)(liu)的參(can)(can)數(shu)(shu)和(he)極限(xian)參(can)(can)數(shu)(shu)，但一(yi)般應(ying)用時只需(xu)關心下列基本參(can)(can)數(shu)(shu)：飽和(he)狀態(tai)的漏源電(dian)流(liu)(liu)量(liang)IDSS夾斷電(dian)壓(ya)Up，跨(kua)導gm、漏源擊穿電(dian)壓(ya)BUDS、較大(da)損耗(hao)輸(shu)出功率(lv)PDSM和(he)較大(da)漏源電(dian)流(liu)(liu)量(liang)IDSM。