微弧氧(yang)化膜層(ceng)(ceng)生(sheng)長時，首先(xian)在基體(ti)表面發(fa)生(sheng)化學反(fan)應，生(sheng)成(cheng)一層(ceng)(ceng)陽(yang)極氧(yang)化膜。當增(zeng)大反(fan)應電(dian)(dian)(dian)壓(ya)時，膜層(ceng)(ceng)厚(hou)度(du)會(hui)進一步(bu)增(zeng)加(jia)，厚(hou)度(du)會(hui)隨之增(zeng)加(jia)。但是(shi)當反(fan)應電(dian)(dian)(dian)壓(ya)增(zeng)加(jia)到(dao)一定程度(du)時，膜層(ceng)(ceng)會(hui)由(you)于不能承受該工(gong)作電(dian)(dian)(dian)壓(ya)發(fa)生(sheng)放電(dian)(dian)(dian)再擊穿，產(chan)生(sheng)等離子放電(dian)(dian)(dian)。反(fan)應的(de)高溫將使(shi)膜層(ceng)(ceng)發(fa)生(sheng)熔融，基體(ti)元素由(you)于處在富氧(yang)環境中，將形(xing)成(cheng)氧(yang)化物(wu)。同時由(you)于是(shi)在電(dian)(dian)(dian)解(jie)液(ye)中，熔融物(wu)將瞬間冷(leng)凝，在基體(ti)表面生(sheng)成(cheng)一層(ceng)(ceng)陶(tao)瓷。陶(tao)瓷膜的(de)生(sheng)成(cheng)，鎂合金微弧氧(yang)化，將導致工(gong)作電(dian)(dian)(dian)壓(ya)進一步(bu)升(sheng)高，膜層(ceng)(ceng)再次被(bei)擊穿，膜層(ceng)(ceng)厚(hou)度(du)進一步(bu)增(zeng)加(jia)。周而復始，膜層(ceng)(ceng)得以生(sheng)長。

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微弧氧化的步驟

一、陽極氧化階段

將樣品置于一(yi)(yi)定的電(dian)解(jie)液(ye)中，通電(dian)后，樣品外表和陰極外表呈(cheng)現(xian)無(wu)數(shu)細(xi)小(xiao)的平(ping)均的白色氣泡，而且(qie)隨電(dian)壓(ya)升高，氣泡逐步變大變密，生(sheng)成速率也不時加快。在到達擊穿電(dian)壓(ya)之前，這(zhe)種現(xian)象不斷存在，這(zhe)一(yi)(yi)階段就是陽(yang)極氧(yang)化(hua)階段。

二、火花放電階段

當施加到樣品的電壓到達擊穿電壓時，鎂合金微弧氧化生產線，樣品外表開端呈現無數細小、亮度較低的火花點。這些火花點密度不高，無爆鳴聲。在該階段，樣品外表開端構成陶瓷層，但陶瓷層的生長速率很小，硬度和致密度較低，所以應盡量減少這一階段的時間。

微弧氧化的步驟

三、微弧氧化階段

進(jin)入火花(hua)放電階段后(hou)，隨(sui)著(zhu)電壓(ya)繼續升高，火花(hua)逐步變(bian)(bian)大變(bian)(bian)亮(liang)，密度增(zeng)加。隨(sui)后(hou)，樣品(pin)外(wai)表開端平均地呈現放電弧斑(ban)。弧斑(ban)較(jiao)(jiao)大，密度較(jiao)(jiao)高，隨(sui)電流(liu)密度的(de)增(zeng)加而變(bian)(bian)亮(liang)，并伴(ban)有激烈的(de)爆鳴聲，此(ci)時即(ji)進(jin)入微弧氧化階段。

四、熄弧階段

微弧氧化階段末期，鎂合金微弧氧化標準，電壓到達較大值，陶瓷層的生長將呈現兩種趨向。一種是樣品外表的弧點越來越疏并消逝，外表只要少量的細碎火花，這些火花消逝，爆鳴聲中止。另一種是外表只要少量的細碎火花，這些火花會完整消逝，同時其他一個或幾個部位忽然呈現較大的弧斑。這些較大的弧斑光亮扎眼，能夠長時間堅持不動，并且產生大量氣體，爆鳴聲增加。