MOSFET管有(you)兩個電極，一(yi)(yi)個是金屬，另一(yi)(yi)個是外在(zai)硅(gui)，他們之間由一(yi)(yi)薄層二氧(yang)化硅(gui)分隔開。MOSFET管一(yi)(yi)般被生產制造為四(si)種類(lei)型，分別是增強(qiang)型和耗盡(jin)型、P溝(gou)道和N溝(gou)道這四(si)種，但(dan)其實在(zai)實際的(de)(de)運用(yong)中一(yi)(yi)般只(zhi)用(yong)增強(qiang)型的(de)(de)N溝(gou)道和增強(qiang)型的(de)(de)P溝(gou)道MOS管，因此(ci)一(yi)(yi)般情況下(xia)只(zhi)要提(ti)及NMOS或是PMOS便是指的(de)(de)是這兩種。

針對這兩種增(zeng)強型的(de)MOS管，其中較為普(pu)遍使用(yong)的(de)是NMOS —— 原因(yin)是增(zeng)強型的(de)N溝道(dao)MOS管的(de)導通電(dian)(dian)阻更小，并且生(sheng)產簡便，因(yin)此在開關電(dian)(dian)源和電(dian)(dian)機(ji)驅動的(de)運(yun)用(yong)中，我(wo)們一(yi)般使用(yong)增(zeng)強型的(de)N溝道(dao)MOS管。

MOS管的(de)三(san)個管腳中有寄(ji)生(sheng)(sheng)電(dian)容的(de)存在，雖然說這并不(bu)是(shi)大家所需要(yao)的(de)，但其中生(sheng)(sheng)產制(zhi)造加工工藝需要(yao)寄(ji)生(sheng)(sheng)電(dian)容的(de)存在。有了寄(ji)生(sheng)(sheng)電(dian)容，余姚大電(dian)流mos，這讓其設計(ji)方案或挑選驅動電(dian)源電(dian)路的(de)情況下會(hui)更麻煩一些，其中還沒有解(jie)決的(de)辦法能避(bi)免。

在(zai)MOS管(guan)的(de)漏極(ji)和(he)源極(ji)中有一個寄生二(er)極(ji)管(guan)叫做(zuo)體二(er)極(ji)管(guan)，就(jiu)驅動感性負載來說(shuo)(shuo)，二(er)極(ji)管(guan)對其十分重要。順帶說(shuo)(shuo)一句，體二(er)極(ji)管(guan)只在(zai)單(dan)獨的(de)MOS管(guan)內(nei)存(cun)在(zai)，在(zai)集(ji)成電路芯片內(nei)部一般都是(shi)沒有的(de)。

公(gong)司成立(li)于2013年7月，專注從事單片機(ji)的(de)應(ying)(ying)用(yong)開發及生(sheng)產，大電(dian)流mos公(gong)司，并提供(gong)全(quan)系列中低(di)壓MOS及電(dian)源、鋰電(dian)IC等(deng)的(de)銷售，在LED及小家電(dian)等(deng)消(xiao)費類(lei)電(dian)子產品上應(ying)(ying)用(yong)廣(guang)泛(fan)，為(wei)您量(liang)身定制(zhi)適(shi)合的(de)芯(xin)片方案。

MOSFET芯片(pian)制(zhi)做進行后，必須(xu)封裝才能(neng)夠應用。說白了封裝便(bian)是給MOSFET芯片(pian)加一個機(ji)殼(ke)，這(zhe)一機(ji)殼(ke)具備支撐點、維(wei)護、制(zhi)冷(leng)的功效，與(yu)此同時還為芯片(pian)給予(yu)保護接(jie)地和防護，便(bian)于MOSFET元(yuan)器(qi)件與(yu)其他元(yuan)器(qi)件組成(cheng)詳(xiang)細的電(dian)源電(dian)路。

輸出功率MOSFET的封裝(zhuang)方(fang)式有(you)插入(ru)式和表(biao)面貼裝(zhuang)試兩大類。插入(ru)式便是MOSFET的管腳(jiao)穿過PCB的安裝(zhuang)孔電(dian)(dian)焊(han)焊(han)接(jie)在(zai)PCB上。表(biao)面貼裝(zhuang)則是MOSFET的管腳(jiao)及排熱法(fa)電(dian)(dian)焊(han)焊(han)接(jie)在(zai)PCB表(biao)面的焊(han)層上。

芯(xin)(xin)片(pian)的(de)原(yuan)材料、加(jia)(jia)工工藝(yi)是MOSFET性(xing)能(neng)(neng)質量的(de)關鍵性(xing)要素(su)，重(zhong)視提(ti)升MOSFET的(de)性(xing)能(neng)(neng)的(de)生產制造廠商(shang)會(hui)在芯(xin)(xin)片(pian)核i心構造、相(xiang)對(dui)密度(du)及(ji)其加(jia)(jia)工工藝(yi)層面開展改善(shan)，而這(zhe)種(zhong)(zhong)技(ji)術(shu)性(xing)改善(shan)將投入很高(gao)的(de)成本費。封(feng)裝(zhuang)技(ji)術(shu)性(xing)會(hui)直接(jie)影響到(dao)芯(xin)(xin)片(pian)的(de)各種(zhong)(zhong)性(xing)能(neng)(neng)與質量，面對(dui)一樣的(de)芯(xin)(xin)片(pian)需(xu)要以不一樣的(de)方式進行封(feng)裝(zhuang)，這(zhe)么做也可以提(ti)升芯(xin)(xin)片(pian)的(de)性(xing)能(neng)(neng)。

公司成立于2013年(nian)7月，專注(zhu)從(cong)事單片機的應用開發(fa)及(ji)生產，并提(ti)供全系列(lie)中(zhong)低壓(ya)MOS及(ji)電(dian)(dian)(dian)源(yuan)、鋰電(dian)(dian)(dian)IC等(deng)的銷售，在LED及(ji)小家電(dian)(dian)(dian)等(deng)消費類電(dian)(dian)(dian)子產品(pin)上(shang)應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方(fang)案。

場(chang)效應管(guan)(guan)(guan)(guan)通過投影一(yi)(yi)個電(dian)場(chang)在一(yi)(yi)個絕(jue)緣層上來(lai)影響流(liu)過晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)電(dian)流(liu)。事實上沒有電(dian)流(liu)流(liu)過這個絕(jue)緣體(ti)(ti)，所(suo)以(yi)FET管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)GATE電(dian)流(liu)非常小(xiao)。普通的(de)FET用一(yi)(yi)薄層二氧化硅來(lai)作為(wei)(wei)GATE極下的(de)絕(jue)緣體(ti)(ti)。這種晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)稱為(wei)(wei)金屬氧化物半導體(ti)(ti)(MOS)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)，大電(dian)流(liu)mos萬芯半導體(ti)(ti)，或(huo)，金屬氧化物半導體(ti)(ti)場(chang)效應管(guan)(guan)(guan)(guan)（MOSFET）。因為(wei)(wei)MOS管(guan)(guan)(guan)(guan)更(geng)小(xiao)更(geng)省電(dian)，所(suo)以(yi)他們已經在很(hen)多應用場(chang)合(he)取代了(le)雙(shuang)極型晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)。