公(gong)司成立于2013年7月，專(zhuan)注從事單片機的應用開發及(ji)(ji)生產，并提供全系列中低壓(ya)MOS及(ji)(ji)電(dian)(dian)源、鋰(li)電(dian)(dian)IC等(deng)的銷(xiao)售，在LED及(ji)(ji)小家(jia)電(dian)(dian)等(deng)消費類電(dian)(dian)子產品(pin)上應用廣泛，為您(nin)量身(shen)定(ding)制適合的芯(xin)片方案。

分辨MOS管優劣的辦法(fa)有(you)二種：

一種：定性分辨MOS管的優劣

先用(yong)萬(wan)用(yong)表R×10kΩ擋(內嵌有(you)9V或15V充(chong)電(dian)電(dian)池)，把負表筆(黑)接(jie)柵極(G)，正(zheng)表筆(紅)接(jie)源極(S)。給柵，源極中間電(dian)池充(chong)電(dian)，mos廠家，這時萬(wan)用(yong)表表針有(you)輕度偏轉。再改成萬(wan)用(yong)表R×1Ω擋，將(jiang)負表筆接(jie)漏極(D)，正(zheng)筆接(jie)源極(S)，萬(wan)用(yong)表標示值(zhi)若為幾歐母，則(ze)表明(ming)MOS管是好的。

第二種：定性(xing)分(fen)辨結型MOS管的電級

將萬用(yong)表(biao)(biao)撥(bo)至R×100檔，紅(hong)表(biao)(biao)筆隨意(yi)接一個(ge)腳管，黑(hei)表(biao)(biao)筆則接另一個(ge)腳管，使(shi)第(di)三腳懸在(zai)空中(zhong)。若發覺表(biao)(biao)針有輕(qing)微的晃動，就證實(shi)第(di)三腳為柵極(ji)。欲(yu)得到(dao)(dao)更顯著的觀(guan)查(cha)實(shi)際效果，還可電子振(zhen)動挨近或是(shi)用(yong)手指觸碰(peng)懸在(zai)空中(zhong)腳，只(zhi)需見(jian)到(dao)(dao)表(biao)(biao)針作大幅偏轉，即表(biao)(biao)明懸在(zai)空中(zhong)腳是(shi)柵極(ji)，其(qi)他二腳分(fen)別是(shi)源極(ji)和漏(lou)極(ji)。

公(gong)司成立(li)于2013年(nian)7月，專注從事單(dan)片(pian)機的應用(yong)開發(fa)及(ji)(ji)生產，啟(qi)東(dong)mos，并(bing)提供全系(xi)列中低壓(ya)MOS及(ji)(ji)電源、鋰電IC等的銷售，在(zai)LED及(ji)(ji)小家電等消費類電子產品上應用(yong)廣泛，為您量身定(ding)制適合的芯片(pian)方案。

電(dian)(dian)源(yuan)作(zuo)(zuo)為(wei)電(dian)(dian)子(zi)設(she)備(bei)的(de)配電(dian)(dian)元器件，除開特性要考慮供電(dian)(dian)系統設(she)備(bei)的(de)規定以外，其自己的(de)防護措(cuo)施也(ye)很重要，如(ru)過電(dian)(dian)流(liu)、過電(dian)(dian)壓、超溫維護等。一(yi)旦(dan)電(dian)(dian)源(yuan)沒(mei)有過流(liu)保護設(she)計(ji)方(fang)案，在輸出(chu)短路故(gu)障或過載的(de)時候會造(zao)成電(dian)(dian)源(yuan)損壞，也(ye)有很有可能進一(yi)步造(zao)成電(dian)(dian)子(zi)設(she)備(bei)毀壞，mos萬芯(xin)半導體，乃至造(zao)成實(shi)際操作(zuo)(zuo)工作(zuo)(zuo)人員的(de)觸(chu)電(dian)(dian)事(shi)故(gu)及火情等安全(quan)事(shi)故(gu)，而電(dian)(dian)源(yuan)的(de)過流(liu)保護跟使用的(de)MOS管相關。

MOS管(guan)(guan)是(shi)金(jin)屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dao)體(semiconductor)場效應晶體管(guan)(guan)，或(huo)者稱(cheng)是(shi)金(jin)屬—絕緣體(insulator)—半導(dao)體。MOS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)source和drain是(shi)可以對調的(de)(de)(de)，他(ta)們都是(shi)在P型backgate中形(xing)成的(de)(de)(de)N型區。在多數情況下，這個(ge)兩個(ge)區是(shi)一樣的(de)(de)(de)，即使兩端(duan)對調也不(bu)會(hui)影(ying)響器件的(de)(de)(de)性能。這樣的(de)(de)(de)器件被認為(wei)是(shi)對稱(cheng)的(de)(de)(de)。

做電(dian)(dian)(dian)源設計，或(huo)者(zhe)做驅動方面的(de)電(dian)(dian)(dian)路，難免要(yao)用到MOS管(guan)。MOS管(guan)有(you)很多種類，也有(you)很多作用。做電(dian)(dian)(dian)源或(huo)者(zhe)驅動的(de)使用，當然就是用它(ta)的(de)開關(guan)作用。

無論N型或者P型MOS管，其工作原理本質是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應，因此在開關應用中，MOS管的開關速度應該比三極管快。