光伏(fu)發電(dian)系統是由太(tai)陽能電(dian)池方陣，蓄電(dian)池組(zu)，充放電(dian)控制器(qi)，逆變器(qi)，交流配(pei)電(dian)柜，太(tai)陽跟(gen)蹤控制系統等設備組(zu)成。

其(qi)部分設備的作用是(shi):

電池方陣

在有光照(無論是(shi)太(tai)陽(yang)(yang)光，還是(shi)其(qi)它發光體(ti)產生(sheng)的光照)情況下(xia)，電(dian)(dian)池(chi)(chi)吸收光能(neng)，電(dian)(dian)池(chi)(chi)兩端(duan)出(chu)現異號電(dian)(dian)荷的積累，即(ji)產生(sheng)'光生(sheng)電(dian)(dian)壓(ya)'，這就(jiu)是(shi)'光生(sheng)伏特(te)1效應(ying)'。在光生(sheng)伏特(te)1效應(ying)的作用下(xia)，太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)的兩端(duan)產生(sheng)電(dian)(dian)動勢，將(jiang)光能(neng)轉(zhuan)換成電(dian)(dian)能(neng)，是(shi)能(neng)量轉(zhuan)換的器件。太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)一般為(wei)硅(gui)電(dian)(dian)池(chi)(chi)，分(fen)為(wei)單晶硅(gui)太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)，多晶硅(gui)太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)和非(fei)晶硅(gui)太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)三種(zhong)。

晶硅組件：

單塊(kuai)組(zu)件功率(lv)相對較高(gao)。同樣占地面(mian)積下(xia)，裝機容量要比薄膜組(zu)件高(gao)。但組(zu)件厚重易(yi)碎，高(gao)溫性(xing)能較差，弱光性(xing)差，年度衰(shuai)減率(lv)高(gao)。

薄膜組件：

單塊組(zu)件功率相(xiang)對略低(di)。但發電(dian)性(xing)能高，高溫(wen)性(xing)能佳(jia)，弱(ruo)光性(xing)能好，陰影(ying)遮擋(dang)功率損失較小，年度(du)衰(shuai)減率低(di)。應用(yong)環境廣泛，美觀，環保。合肥(fei)烈陽(yang)光伏(fu)歡迎您的咨(zi)詢，我們將竭誠為您服務。

導致光伏組件(jian)輸(shu)出功率下降(jiang)

光伏(fu)組件(jian)一般(ban)有3個溫(wen)度系數：開路電壓、峰(feng)值功(gong)率、短路電流。當溫(wen)度升高時，單(dan)晶硅光伏(fu)組件(jian)，光伏(fu)組件(jian)的(de)輸(shu)出功(gong)率會(hui)下降(jiang)。光伏(fu)組件(jian)的(de)峰(feng)值溫(wen)度系數大概在-0.38 ～0.44%/℃之間，即溫(wen)度升高，光伏(fu)組件(jian)的(de)發電量(liang)下降(jiang)，理(li)論上，溫(wen)度每升高一度，光伏(fu)電站(zhan)的(de)發電量(liang)會(hui)下降(jiang)0.44%左右。

影響開路電壓導致體系充電不足(zu)

硅太陽(yang)能電(dian)池作業在溫度(du)較高狀況下，開路電(dian)壓隨溫度(du)的升(sheng)(sheng)(sheng)高而(er)大幅下降，一起導致充電(dian)作業點的嚴(yan)峻偏移，易使體系(xi)充電(dian)不(bu)足而(er)損壞。太陽(yang)能電(dian)池短(duan)路電(dian)流隨溫度(du)的升(sheng)(sheng)(sheng)高而(er)升(sheng)(sheng)(sheng)高。