各種純度(du)鋁中的雜(za)質含(han)量及(ji)剩余(yu)電阻率如(ru)表2所示。超純金屬(shu)超純的純度(du)也可以用剩余(yu)電阻率來測定(ding)，其(qi)值約為(wei)2×10-5。現代科學技(ji)術的發展趨(qu)勢是對金屬(shu)純度(du)要求(qiu)越(yue)來越(yue)高。因為(wei)金屬(shu)未能達到一(yi)定(ding)純度(du)的情況下(xia)，金屬(shu)特性往(wang)往(wang)為(wei)雜(za)質所掩蓋。不僅是半導體材料，其(qi)他(ta)金屬(shu)也有同樣的情況，由于雜(za)質存在影響金屬(shu)的性能。

鎢(wu)過(guo)去用作燈(deng)(deng)泡(pao)的燈(deng)(deng)絲，金(jin)蒸發鍍靶材回(hui)收，由于脆性而(er)使(shi)處理(li)上有困難(nan)，在(zai)適當提純之后，這種(zhong)缺點即可以克服（鎢(wu)絲也(ye)有摻(chan)雜及加(jia)工(gong)問題）。

綁定的適用范圍

?技術(shu)上來(lai)(lai)說(shuo)表面平整可(ke)進(jin)行金(jin)屬(shu)化(hua)處(chu)理的(de)靶(ba)材(cai)都可(ke)以用我司銦(yin)焊綁(bang)定(ding)技術(shu)綁(bang)定(ding)銅背靶(ba)來(lai)(lai)提高濺射過程的(de)散(san)熱性、提高靶(ba)材(cai)利用率。

建議綁定的靶材：

?ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材(cai)(cai)及燒結靶材(cai)(cai)；

?錫、銦等軟金屬靶；

?靶材太薄、靶材太貴的情況(kuang)等(deng)。

但下列情況綁(bang)定有弊端：

?1.熔點低的靶材，池州金蒸(zheng)發鍍靶材，像銦、硒等，金屬(shu)化的時候可能會變(bian)軟變(bian)形；

?2.貴金屬靶材，金蒸發(fa)鍍(du)靶材加工，一是(shi)實際重(zhong)量易(yi)出現分歧，二是(shi)金屬化(hua)以(yi)及解綁的時候都會(hui)有浪費料，金蒸發(fa)鍍(du)靶材哪(na)家好，建(jian)議墊一片(pian)銅片(pian)。

稀土礦(kuang)冶(ye)煉方(fang)法有兩種，即濕(shi)法冶(ye)金和火法冶(ye)金。

濕(shi)(shi)法(fa)冶(ye)金屬化(hua)(hua)工冶(ye)金方式，全流程大多處于溶(rong)液(ye)、溶(rong)劑(ji)之中，如稀(xi)土(tu)精礦的分解(jie)、稀(xi)土(tu)氧(yang)化(hua)(hua)物、稀(xi)土(tu)化(hua)(hua)合物、單一稀(xi)土(tu)金屬的分離(li)和(he)提取過(guo)程就(jiu)是(shi)采用沉(chen)淀、結晶、氧(yang)化(hua)(hua)還原、溶(rong)劑(ji)萃(cui)取、離(li)子交換等(deng)化(hua)(hua)學分離(li)工藝過(guo)程。現應用較普(pu)遍的是(shi)溶(rong)劑(ji)萃(cui)取法(fa)，它是(shi)工業分離(li)高純(chun)單一稀(xi)土(tu)元素(su)的通用工藝。濕(shi)(shi)法(fa)冶(ye)金流程復雜，產品純(chun)度高，該法(fa)生(sheng)產成品應用面廣闊(kuo)。