石英晶(jing)體(ti)振蕩器與(yu)石英晶(jing)體(ti)諧振器都是提供穩定電路頻率的一種電子(zi)器件

石(shi)(shi)英(ying)(ying)晶(jing)(jing)體(ti)振蕩器是(shi)利(li)用石(shi)(shi)英(ying)(ying)晶(jing)(jing)體(ti)的壓(ya)電效應來(lai)起振，而(er)石(shi)(shi)英(ying)(ying)晶(jing)(jing)體(ti)諧振器是(shi)利(li)用石(shi)(shi)英(ying)(ying)晶(jing)(jing)體(ti)和內置IC來(lai)共同作用來(lai)工(gong)作的。

振(zhen)蕩器直(zhi)接應用于電路中，諧(xie)振(zhen)器工作時(shi)一(yi)般需要提供3.3V電壓來維持(chi)工作。振(zhen)蕩器比諧(xie)振(zhen)器多了一(yi)個(ge)重要技術參數為：諧(xie)振(zhen)電阻(zu)(zu)（RR），諧(xie)振(zhen)器沒有電阻(zu)(zu)要求(qiu)。RR的(de)大小直(zhi)接影響(xiang)電路的(de)性(xing)能，也(ye)是各(ge)商家(jia)競爭的(de)一(yi)個(ge)重要參數。

可能有(you)些(xie)初(chu)學(xue)者會(hui)對晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)的(de)(de)(de)頻率(lv)感到(dao)奇怪，差(cha)分(fen)晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)，12M、24M之類的(de)(de)(de)晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)較好理解，選用(yong)如11.0592MHZ的(de)(de)(de)晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)給人(ren)一(yi)種奇怪的(de)(de)(de)感覺，這個(ge)問題解釋(shi)起來比(bi)較麻煩，如果初(chu)學(xue)者在(zai)練習串口編程的(de)(de)(de)時(shi)候就會(hui)對此有(you)所理解，這種晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)主要是可以方便和(he)準確的(de)(de)(de)設計(ji)串口或其它異步通訊(xun)時(shi)的(de)(de)(de)波特率(lv)。

晶體振蕩器技術指標

（1）總(zong)頻差：在(zai)規(gui)定的時間內，由于規(gui)定的工作(zuo)和非工作(zuo)參數(shu)全部(bu)組合而(er)引(yin)起的晶體振(zhen)蕩器頻率(lv)與給定標(biao)稱頻率(lv)的頻差；

（2）頻率溫(wen)(wen)(wen)度(du)穩(wen)定度(du)：在標稱電源和(he)負載下，工(gong)作在規(gui)定溫(wen)(wen)(wen)度(du)范(fan)圍內的不(bu)帶(dai)隱含基準溫(wen)(wen)(wen)度(du)或帶(dai)隱含基準溫(wen)(wen)(wen)度(du)的允(yun)許頻偏(pian)；

（3）頻率(lv)穩定預熱(re)時間：以晶體(ti)振蕩器穩定輸出頻率(lv)為(wei)基準，差分晶振報價，從加電到輸出頻率(lv)小于規定頻率(lv)允差所需要的(de)時間；

（4）頻(pin)率(lv)(lv)老化率(lv)(lv)：在恒(heng)定的環境條(tiao)件(jian)下(xia)測量振(zhen)(zhen)蕩器頻(pin)率(lv)(lv)時，振(zhen)(zhen)蕩器頻(pin)率(lv)(lv)和時間(jian)之間(jian)的關系；

（5）頻率壓(ya)(ya)(ya)控(kong)范圍：將(jiang)頻率控(kong)制電壓(ya)(ya)(ya)從基準電壓(ya)(ya)(ya)調到規定的(de)終點(dian)電壓(ya)(ya)(ya)，晶體(ti)振蕩(dang)器頻率的(de)小(xiao)峰(feng)值改(gai)變(bian)量；

（6）壓控頻(pin)率(lv)響應范圍：當(dang)調制頻(pin)率(lv)時，峰值頻(pin)偏與調制頻(pin)率(lv)之間的關系；

（7）頻(pin)(pin)率(lv)壓控線性(xing)：與理想（直線）函數相比的(de)輸出(chu)頻(pin)(pin)率(lv)-輸入控制電壓傳輸特(te)性(xing)的(de)一種量度，差分(fen)晶振廠家，它以百分(fen)數表示(shi)整個范圍(wei)頻(pin)(pin)偏(pian)的(de)可容許(xu)非線性(xing)度；

（8）單邊(bian)帶相位(wei)噪(zao)聲：偏離載波f處，一個(ge)相位(wei)調(diao)制邊(bian)帶的功率(lv)密(mi)度與載波功率(lv)之(zhi)比。有的技術人員幫助您選型，歡(huan)迎(ying)您前來(lai)咨詢(xun)！

石英(ying)晶體振蕩(dang)器的(de)主要參數

晶振的主要參數有標稱頻率，負載電容、頻率精度、頻率穩定度等。不同的晶振標稱頻率不同，標稱頻率大都標明在晶振外殼上。負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。頻率精度和頻率穩定度：由于普通晶振的性能基本都能達到一般電器的要求，差分晶振價格，對于設備還需要有一定的頻率精度和頻率穩定度，頻率精度從10（-4）量級到10（-10）量級不等，頻率穩定度±1到±100PPm不等。

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