公司成立(li)于2013年7月，專注從事單(dan)片機的(de)應用開發及生產，并提供全系列中低壓(ya)MOS及電(dian)(dian)源(yuan)、鋰電(dian)(dian)IC等(deng)的(de)銷售，在LED及小家電(dian)(dian)等(deng)消費(fei)類電(dian)(dian)子產品上應用廣泛，為您量(liang)身定制適合的(de)芯(xin)片方案。

做(zuo)電(dian)(dian)源電(dian)(dian)路，或是做(zuo)推動領域(yu)的電(dian)(dian)源電(dian)(dian)路，免不(bu)了要使用MOS管(guan)。MOS管(guan)有(you)很多(duo)類(lei)型，也是有(you)許多(duo)功(gong)(gong)效。做(zuo)開關(guan)電(dian)(dian)源或是推動的應用，自然便是用它的開關(guan)功(gong)(gong)效。

不(bu)管N型或是(shi)P型MOS管，其原理實質是(shi)一樣的(de)(de)。MOS管是(shi)由加(jia)在鍵入(ru)端(duan)柵(zha)極(ji)(ji)的(de)(de)電(dian)流來調節輸出(chu)端(duan)漏極(ji)(ji)的(de)(de)電(dian)流。MOS管是(shi)壓控器件(jian)它根(gen)據(ju)加(jia)在柵(zha)極(ji)(ji)上的(de)(de)電(dian)流操縱器件(jian)的(de)(de)特點，不(bu)容(rong)易產生像(xiang)三(san)極(ji)(ji)管做(zuo)開(kai)關(guan)時的(de)(de)因(yin)基極(ji)(ji)電(dian)流造成的(de)(de)正電(dian)荷儲存效用，萬芯mos管公司(si)，因(yin)而在開(kai)關(guan)運用中，MOS管的(de)(de)開(kai)關(guan)速率(lv)應當比三(san)極(ji)(ji)管快。

公司成立(li)于2013年7月，專注從事(shi)單片機(ji)的應用開發(fa)及(ji)(ji)生產，并(bing)提供全系列(lie)中(zhong)低壓MOS及(ji)(ji)電源(yuan)、鋰電IC等的銷售，在(zai)LED及(ji)(ji)小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量(liang)身定(ding)制適合的芯片方案。

場(chang)效應管(guan)通過投影(ying)一(yi)個電(dian)(dian)場(chang)在(zai)一(yi)個絕(jue)緣層上來(lai)(lai)影(ying)響流(liu)過晶(jing)體管(guan)的電(dian)(dian)流(liu)。事實(shi)上沒有電(dian)(dian)流(liu)流(liu)過這(zhe)(zhe)個絕(jue)緣體，所以FET管(guan)的GATE電(dian)(dian)流(liu)非(fei)常小。普通的FET用一(yi)薄層二氧化(hua)(hua)硅來(lai)(lai)作為(wei)(wei)GATE極下(xia)的絕(jue)緣體。這(zhe)(zhe)種晶(jing)體管(guan)稱為(wei)(wei)金屬(shu)氧化(hua)(hua)物半導體(MOS)晶(jing)體管(guan)，或，金屬(shu)氧化(hua)(hua)物半導體場(chang)效應管(guan)（MOSFET）。因為(wei)(wei)MOS管(guan)更小更省電(dian)(dian)，所以他們(men)已經在(zai)很多(duo)應用場(chang)合取代了雙極型(xing)晶(jing)體管(guan)。

公(gong)司成立(li)于2013年7月，專注從事單片(pian)機(ji)的應用開發及(ji)(ji)生產(chan)，并提(ti)供全系列中(zhong)低壓MOS及(ji)(ji)電(dian)源(yuan)、鋰電(dian)IC等(deng)的銷售，在(zai)LED及(ji)(ji)小家電(dian)等(deng)消費類電(dian)子(zi)產(chan)品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯(xin)片(pian)方案。

功率MOSFET場效(xiao)應(ying)(ying)管(guan)是(shi)較為(wei)常用的一類功率器件，中(zhong)文全名是(shi)——金屬(shu)氧(yang)(yang)化物半導(dao)體(ti)場效(xiao)應(ying)(ying)管(guan)。它屬(shu)于一種功率輸出的器件，主要由金屬(shu)、氧(yang)(yang)化物還有半導(dao)體(ti)三(san)種材料構成(cheng)。那么什(shen)么是(shi)功率MOSFET場效(xiao)應(ying)(ying)管(guan)呢？

其實就是(shi)從名(ming)字(zi)來看，功(gong)率MOSFET場效應(ying)管就是(shi)它再工作(zuo)時能輸(shu)出較大的(de)電(dian)流。場效應(ying)管的(de)分(fen)(fen)類又(you)分(fen)(fen)為很多種，其中(zhong)圍繞功(gong)耗的(de)特(te)性我們可以分(fen)(fen)成增強(qiang)型(xing)和耗盡型(xing)，如果按照溝(gou)道(dao)來選的(de)話又(you)可以分(fen)(fen)成N溝(gou)道(dao)型(xing)和P溝(gou)道(dao)型(xing)。

場(chang)效應(ying)管(guan)(guan)在(zai)輸出功(gong)率的(de)系統(tong)中(zhong)，主要被當做(zuo)系統(tong)的(de)開(kai)(kai)關(guan)。如果我們(men)在(zai)N溝道(dao)場(chang)效應(ying)管(guan)(guan)的(de)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間再加上(shang)(shang)一(yi)個電壓(ya)，萬(wan)芯mos管(guan)(guan)報價(jia)，就會讓其(qi)電源(yuan)開(kai)(kai)關(guan)導(dao)通。電源(yuan)開(kai)(kai)關(guan)導(dao)通之(zhi)后，電流(liu)(liu)(liu)即(ji)可經過電源(yuan)開(kai)(kai)關(guan)從漏(lou)極(ji)(ji)(ji)流(liu)(liu)(liu)入源(yuan)極(ji)(ji)(ji)。其(qi)中(zhong)在(zai)漏(lou)極(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間會存在(zai)一(yi)個內電阻(zu)，我們(men)一(yi)般(ban)叫做(zuo)導(dao)通電阻(zu)器RDS（ON）。我們(men)一(yi)定要清楚場(chang)效應(ying)管(guan)(guan)的(de)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)實(shi)際上(shang)(shang)是一(yi)個高特性的(de)阻(zu)抗端，所以我們(men)需(xu)要在(zai)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)上(shang)(shang)再添加一(yi)個電壓(ya)。當源(yuan)極(ji)(ji)(ji)和(he)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)間的(de)電壓(ya)為零時，萬(wan)芯mos管(guan)(guan)生產(chan)廠家，電源(yuan)開(kai)(kai)關(guan)關(guan)掉，寧海萬(wan)芯mos管(guan)(guan)，而電流(liu)(liu)(liu)量(liang)終止根據器件。盡(jin)管(guan)(guan)這時候器件早已關(guan)掉，但依然有(you)細微電流(liu)(liu)(liu)量(liang)存有(you)，這稱作泄露電流(liu)(liu)(liu)IDSS。

因為場效(xiao)(xiao)應管(guan)是(shi)電氣控制系(xi)統(tong)中基本上的(de)(de)構件(jian)之一，挑選恰當的(de)(de)場效(xiao)(xiao)應管(guan)對(dui)全部(bu)設(she)計方(fang)案(an)是(shi)不是(shi)取得成功起著(zhu)重要的(de)(de)功效(xiao)(xiao)。僅有掌握(wo)場效(xiao)(xiao)應管(guan)的(de)(de)種類及掌握(wo)決策(ce)他們(men)的(de)(de)關(guan)鍵(jian)特(te)性特(te)性，設(she)計方(fang)案(an)工作人(ren)員才(cai)可以對(dui)于特(te)殊(shu)設(she)計方(fang)案(an)挑選恰當的(de)(de)場效(xiao)(xiao)應管(guan)。