公(gong)司成立于(yu)2013年7月(yue)，專注(zhu)從事單片機的應(ying)用(yong)開發及(ji)生產(chan)，并提供全(quan)系列中低壓MOS及(ji)電源、鋰電IC等的銷售，在LED及(ji)小家電等消費類電子(zi)產(chan)品上(shang)應(ying)用(yong)廣泛，啟東大電流mos，為您量身定制適(shi)合的芯片方案。

mos管(guan)(guan)有的(de)時(shi)候也稱作絕緣(yuan)柵場效(xiao)(xiao)應管(guan)(guan)，因為它歸屬于場效(xiao)(xiao)應管(guan)(guan)中的(de)絕緣(yuan)柵型(xing)(xing)，全(quan)名是金屬—氧化物(wu)—半導體(ti)場效(xiao)(xiao)應晶體(ti)管(guan)(guan)或稱金屬—絕緣(yuan)體(ti)—半導體(ti)場效(xiao)(xiao)應晶體(ti)管(guan)(guan)，是一種能夠普遍應用(yong)在(zai)模擬(ni)電(dian)路與數字電(dian)路的(de)場效(xiao)(xiao)晶體(ti)管(guan)(guan)。依據其“通(tong)道(dao)”(工(gong)作載流子)的(de)極性差異，可分成“N型(xing)(xing)”與“P型(xing)(xing)”的(de)兩個類型(xing)(xing)，也就是常(chang)說(shuo)的(de)Nmos、Pmos。

MOS管FET柵源保護：

1）避免 柵極(ji) di/dt 過高

因(yin)為選(xuan)用(yong)驅動集(ji)成ic，其輸出(chu)阻抗較(jiao)低，直(zhi)推(tui)功(gong)率管(guan)會造(zao)成推(tui)動的功(gong)率管(guan)迅速的開啟(qi)和斷連(lian)，大電流mos廠(chang)家，有可能導(dao)致功(gong)率管(guan)漏源極間的工(gong)作電壓波動，或是(shi)有可能導(dao)致功(gong)率管(guan)遭到過高的 di/dt 而造(zao)成誤通。為預防以上(shang)問(wen)題的產生(sheng)，一般在(zai) MOS 控制(zhi)器的導(dao)出(chu)與 MOS 管(guan)的柵(zha)極中間串連(lian)一個(ge)電阻器，電阻器的尺(chi)寸一般選(xuan)擇(ze)幾(ji)十歐母。

2）避免 柵(zha)源極(ji)間過(guo)壓

因(yin)(yin)為柵(zha)極(ji)(ji)與(yu)源(yuan)極(ji)(ji)的(de)特性阻(zu)抗很高，漏極(ji)(ji)與(yu)源(yuan)極(ji)(ji)間的(de)工(gong)作電壓(ya)基因(yin)(yin)突(tu)變會根據(ju)極(ji)(ji)間電容藕合(he)到柵(zha)極(ji)(ji)而造(zao)成非(fei)常高的(de)柵(zha)源(yuan)頂i峰工(gong)作電壓(ya)，此工(gong)作電壓(ya)會使非(fei)常薄的(de)柵(zha)源(yuan)空氣(qi)氧化(hua)層穿透(tou)(tou)，與(yu)此同時柵(zha)極(ji)(ji)非(fei)常容易累(lei)積(ji)正電荷也(ye)會使柵(zha)源(yuan)空氣(qi)氧化(hua)層穿透(tou)(tou)，因(yin)(yin)此，要在 MOS 管(guan)柵(zha)極(ji)(ji)串聯穩(wen)壓(ya)極(ji)(ji)管(guan)以限定柵(zha)極(ji)(ji)工(gong)作電壓(ya)在穩(wen)壓(ya)極(ji)(ji)管(guan)值下(xia)，保護 MOS 管(guan)不(bu)被(bei)穿透(tou)(tou)。

3）安(an)全防護(hu)漏源(yuan)極中間過壓

盡管漏源(yuan)擊穿電(dian)(dian)壓(ya) VDS 一(yi)般都(dou)非(fei)常大，但假如(ru)漏源(yuan)極(ji)不用(yong)保護電(dian)(dian)路，一(yi)樣有(you)可能由于器件電(dian)(dian)源(yuan)開(kai)(kai)關一(yi)瞬間電(dian)(dian)流量的基因突變而造(zao)成漏極(ji)頂i峰工(gong)作(zuo)電(dian)(dian)壓(ya)，大電(dian)(dian)流mos萬(wan)芯半導體，從而毀(hui)壞 MOS 管，功率管電(dian)(dian)源(yuan)開(kai)(kai)關速率越(yue)快，造(zao)成的過(guo)壓(ya)也就越(yue)高。為了更好地(di)避免器件毀(hui)壞，一(yi)般選(xuan)用(yong)齊納(na)二極(ji)管鉗位和(he) RC 緩存電(dian)(dian)路等保護對策。

公(gong)司成立于2013年(nian)7月(yue)，專(zhuan)注從事(shi)單片機的(de)應用開發及生產(chan)，并提供全(quan)系(xi)列中低壓MOS及電源、鋰電IC等(deng)(deng)的(de)銷售(shou)，在LED及小家電等(deng)(deng)消費類電子產(chan)品上應用廣泛(fan)，為您量身(shen)定制適合的(de)芯(xin)片方案。

MOS管是利用VGS去控制(zhi)“感應電(dian)荷”的(de)(de)(de)多少，由此(ci)去改(gai)變(bian)由這些(xie)“感應電(dian)荷”所形成的(de)(de)(de)導(dao)電(dian)溝道(dao)的(de)(de)(de)狀況(kuang)，以(yi)此(ci)來控制(zhi)漏(lou)極電(dian)流(liu)(liu)(liu)。在管子制(zhi)造時(shi)，通過一(yi)(yi)些(xie)特殊工(gong)藝使得絕(jue)緣層出(chu)現大(da)量的(de)(de)(de)正離(li)子，所以(yi)在交界面另(ling)一(yi)(yi)側(ce)可(ke)以(yi)感測(ce)出(chu)比(bi)較多的(de)(de)(de)負(fu)電(dian)荷，高(gao)滲雜(za)質的(de)(de)(de)N區被這些(xie)負(fu)電(dian)荷接通，導(dao)電(dian)溝道(dao)也就形成了，WP大(da)電(dian)流(liu)(liu)(liu)mos，即便在VGS為(wei)0時(shi)也會(hui)(hui)有比(bi)較大(da)的(de)(de)(de)漏(lou)極電(dian)流(liu)(liu)(liu)ID。如果(guo)柵(zha)極電(dian)壓(ya)(ya)發(fa)(fa)生(sheng)改(gai)變(bian)時(shi)，溝道(dao)里的(de)(de)(de)被感應電(dian)荷量也會(hui)(hui)發(fa)(fa)生(sheng)改(gai)變(bian)，導(dao)電(dian)溝道(dao)中的(de)(de)(de)寬窄也會(hui)(hui)隨著(zhu)(zhu)改(gai)變(bian)，因此(ci)漏(lou)極電(dian)流(liu)(liu)(liu)ID會(hui)(hui)伴隨著(zhu)(zhu)柵(zha)極電(dian)壓(ya)(ya)的(de)(de)(de)變(bian)化(hua)而發(fa)(fa)生(sheng)變(bian)化(hua)。