測井175度高溫FLASH存儲器

北京啟(qi)爾特科技(ji)供應(ying)175度高溫FLASH存儲器(qi) ，2MB，4MB，16MB，經(jing)銷200度FLASH芯片品牌，32MB，64MB，128MB等容量。此(ci)款175度高溫存儲器(qi)產品主要為石油(you)探(tan)測，隨鉆測井，經(jing)營175度FLASH芯片品牌，航天(tian)航空，通信等高可靠惡劣環境(jing)存儲數據(ju)使(shi)用，安全性能好，保密(mi)性強，可靠，經(jing)營210度FLASH芯片品牌，為客戶提供在環境(jing)中運行的高可靠性用途提供解決方案(an)。

存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)是(shi)單(dan)(dan)(dan)片機的(de)(de)又(you)一(yi)個(ge)重要組成部分，圖6給出(chu)了一(yi)種存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)容量為(wei)256個(ge)單(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)的(de)(de)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)結構示(shi)意圖。其中每個(ge)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)單(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)對應一(yi)個(ge)地(di)址(zhi)，256個(ge)單(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)共(gong)有256個(ge)地(di)址(zhi)，用兩(liang)位16進制數表(biao)示(shi)，即存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)的(de)(de)地(di)址(zhi)（00H～FFH）。存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)中每個(ge)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)單(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)可存(cun)(cun)(cun)放一(yi)個(ge)八位二進制信息，通常用兩(liang)位16進制數來(lai)表(biao)示(shi)，這就是(shi)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)的(de)(de)內(nei)容。存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)的(de)(de)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)單(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)地(di)址(zhi)和存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)單(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)的(de)(de)內(nei)容是(shi)不(bu)同的(de)(de)兩(liang)個(ge)概(gai)念，不(bu)能混淆。

測井225度高溫存儲器

北(bei)京啟爾特石油科技(ji)新到(dao)一批(pi)145度(du)、150度(du)、175度(du)、210度(du)、225度(du)高溫(wen)存儲(chu)器(qi)，美國(guo)原廠進口，耐(nai)高溫(wen)，性能(neng)穩定，各種容量都(dou)有(you)，適用于(yu)隨鉆儀器(qi)及(ji)其他石油測井勘(kan)探領域(yu)，感興(xing)趣(qu)的客戶(hu)，歡迎來(lai)電咨詢！

DRAM的特點：

(1) 利用(yong)電(dian)容(rong)存(cun)(cun)儲(chu)電(dian)荷的(de)原理來存(cun)(cun)儲(chu)信息的(de)。由(you)于電(dian)容(rong)會(hui)逐(zhu)漸(jian)放電(dian)，所(suo)以，必須對(dui)DRAM中的(de)電(dian)容(rong)不斷地補充電(dian)荷，這(zhe)一(yi)過程(cheng)稱為刷新。

(2) 典型(xing)的刷新(xin)周期(qi)為2ms，一般用專門(men)的DRAM控制器(qi)控制刷新(xin)，其(qi)刷新(xin)過程(cheng)稱為刷新(xin)周期(qi)。

(3) 所用MOS管較SRAM少(shao)，芯片位密度(du)較高，如(ru)32Kb×1，16Mb×1。

(4) 功耗較小。

225度測(ce)井存儲器高溫

北京啟(qi)爾特石油(you)科技新到一批145度(du)、150度(du)、175度(du)、210度(du)、225度(du)高(gao)溫存儲(chu)器，美國原廠(chang)進口(kou)，耐高(gao)溫，性能穩定，各種容量都有，適用于隨鉆儀器及其他石油(you)測井勘探領域，感興趣的(de)客戶，歡迎來電咨(zi)詢！

NOR flash帶有SRAM接口，有足夠(gou)的地(di)址引(yin)腳來(lai)尋址，可(ke)以(yi)很容易地(di)存取其內部的每一個字節。

NAND器件使用復雜的(de)I/O口來串行地(di)存取數據，各個產(chan)品或廠商的(de)方法可(ke)能各不相同。8個引腳用來傳送控制(zhi)、地(di)址和(he)數據信息。

NAND讀和寫操(cao)作采用(yong)512字節的塊，FLASH芯(xin)片(pian)，這(zhe)一點(dian)(dian)有(you)點(dian)(dian)像(xiang)硬盤管理(li)此(ci)類(lei)操(cao)作，很(hen)自然(ran)地，基于NAND的存(cun)儲器就可以(yi)取代硬盤或其他塊設(she)備。