150度存儲器

150度高溫存儲器 我司(si)(si)目(mu)前(qian)僅有(you)25LC系列(lie)，H 150度溫度級(ji)別小(xiao)容量64K bit現(xian)貨，數量不多歡迎選購。另外其同系列(lie)，256k bit. 25LC640A ?25LC256.如有(you)興趣，歡迎致電本司(si)(si)。

存(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)器(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)主要(yao)功能是(shi)存(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)程序和(he)各種存(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)器(qi)(qi) (16張) 數(shu)據(ju)，并能在(zai)計算(suan)機(ji)運行過程中(zhong)高(gao)速、自動地完(wan)成程序或數(shu)據(ju)的(de)(de)(de)(de)存(cun)(cun)(cun)(cun)取。存(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)器(qi)(qi)是(shi)具有“記憶(yi)(yi)”功能的(de)(de)(de)(de)設備，它采(cai)用(yong)具有兩(liang)(liang)種穩(wen)定(ding)(ding)狀(zhuang)態(tai)的(de)(de)(de)(de)物理器(qi)(qi)件(jian)(jian)來(lai)存(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)信(xin)息(xi)。這(zhe)些器(qi)(qi)件(jian)(jian)也稱為記憶(yi)(yi)元件(jian)(jian)。在(zai)計算(suan)機(ji)中(zhong)采(cai)用(yong)只有兩(liang)(liang)個數(shu)碼“0”和(he)“1”的(de)(de)(de)(de)二進(jin)制來(lai)表示(shi)數(shu)據(ju)。記憶(yi)(yi)元件(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)兩(liang)(liang)種穩(wen)定(ding)(ding)狀(zhuang)態(tai)分別表示(shi)為“0”和(he)“1”。日(ri)常(chang)使用(yong)的(de)(de)(de)(de)十(shi)進(jin)制數(shu)必須轉換成等值的(de)(de)(de)(de)二進(jin)制數(shu)才(cai)能存(cun)(cun)(cun)(cun)入存(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)器(qi)(qi)中(zhong)。計算(suan)機(ji)中(zhong)處理的(de)(de)(de)(de)各種字符(fu)，例如(ru)英(ying)文字母(mu)、運算(suan)符(fu)號等，也要(yao)轉換成二進(jin)制代碼才(cai)能存(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)和(he)操作(zuo)。

原(yuan)裝150度高溫存儲器

北京啟爾特(te)石油科技新到一批150度高溫(wen)存(cun)(cun)儲(chu)器(qi)(qi)，此(ci)款存(cun)(cun)儲(chu)器(qi)(qi)存(cun)(cun)儲(chu)容量(liang)256kb，經營150度進(jin)口存(cun)(cun)儲(chu)器(qi)(qi)參(can)數，溫(wen)度可到175度，很多客戶采用串聯(lian)方式使用，適用于隨鉆儀(yi)器(qi)(qi)及其他石油測井勘探領域，感興趣的客戶，歡迎來電咨詢(xun)！

EEPROM與閃(shan)(shan)存(cun)(cun)(cun)存(cun)(cun)(cun)儲器：技術的(de)成(cheng)熟使得RAM和(he)(he)ROM之間的(de)界限變得很(hen)模糊，如(ru)(ru)今有(you)一些(xie)類型的(de)存(cun)(cun)(cun)儲器(如(ru)(ru)EEPROM和(he)(he)閃(shan)(shan)存(cun)(cun)(cun))組合了兩(liang)者(zhe)(zhe)(zhe)的(de)特(te)性。這些(xie)器件(jian)像RAM一樣進行(xing)(xing)讀(du)寫，銷售175度(du)(du)進口存(cun)(cun)(cun)儲器參數(shu)，并像ROM一樣在(zai)斷電(dian)時(shi)保持數(shu)據，它(ta)們都可電(dian)擦除且可編(bian)程(cheng)，但各(ge)自有(you)它(ta)們優缺點。從(cong)軟件(jian)角(jiao)度(du)(du)看，獨(du)立(li)的(de)EEPROM和(he)(he)閃(shan)(shan)存(cun)(cun)(cun)器件(jian)是(shi)類似(si)的(de)，兩(liang)者(zhe)(zhe)(zhe)主要(yao)(yao)差(cha)別(bie)是(shi)EEPROM器件(jian)可以逐字(zi)節(jie)地修改，而閃(shan)(shan)存(cun)(cun)(cun)器件(jian)只(zhi)支持扇區擦除以及對被擦除單元的(de)字(zi)、頁或(huo)(huo)扇區進行(xing)(xing)編(bian)程(cheng)。對閃(shan)(shan)存(cun)(cun)(cun)的(de)重新編(bian)程(cheng)還需(xu)要(yao)(yao)使用(yong)SRAM，因此它(ta)要(yao)(yao)求更(geng)長的(de)時(shi)間內有(you)更(geng)多的(de)器件(jian)在(zai)工作，從(cong)而需(xu)要(yao)(yao)消(xiao)耗更(geng)多的(de)電(dian)池能量(liang)。設計工程(cheng)師(shi)也必須確認在(zai)修改數(shu)據時(shi)有(you)足夠容(rong)量(liang)的(de)SRAM可用(yong)。存(cun)(cun)(cun)儲器密度(du)(du)是(shi)決定(ding)選擇串行(xing)(xing)EEPROM或(huo)(huo)者(zhe)(zhe)(zhe)閃(shan)(shan)存(cun)(cun)(cun)的(de)另一個因素。市場上可用(yong)的(de)獨(du)立(li)串行(xing)(xing)EEPROM器件(jian)的(de)容(rong)量(liang)在(zai)128KB或(huo)(huo)以下，獨(du)立(li)閃(shan)(shan)存(cun)(cun)(cun)器件(jian)的(de)容(rong)量(liang)在(zai)32KB或(huo)(huo)以上。

200度測井(jing)存儲器(qi)供應商(shang)

北京啟爾特(te)石(shi)(shi)油科技新到一批(pi)145度、150度、175度、210度、225度高溫存(cun)儲器，美國原廠進口，耐高溫，性能穩定，各種(zhong)容量都有，適(shi)用于(yu)隨鉆儀器及其他石(shi)(shi)油測井勘(kan)探領(ling)域(yu)，感興(xing)趣的客戶(hu)，歡迎來(lai)電咨詢(xun)！

flash閃存是非易失存儲器(qi)(qi)，可以(yi)對稱為(wei)塊(kuai)(kuai)的(de)存儲器(qi)(qi)單元塊(kuai)(kuai)進(jin)行(xing)(xing)(xing)擦(ca)寫(xie)(xie)和再編程。任(ren)何flash器(qi)(qi)件的(de)寫(xie)(xie)入操(cao)作(zuo)只能在空(kong)或已擦(ca)除(chu)的(de)單元內進(jin)行(xing)(xing)(xing)，所以(yi)大多數情況(kuang)下，在進(jin)行(xing)(xing)(xing)寫(xie)(xie)入操(cao)作(zuo)之前必須(xu)先執(zhi)行(xing)(xing)(xing)擦(ca)除(chu)。NAND器(qi)(qi)件執(zhi)行(xing)(xing)(xing)擦(ca)除(chu)操(cao)作(zuo)是十分簡單的(de)，而NOR則要(yao)求在進(jin)行(xing)(xing)(xing)擦(ca)除(chu)前先要(yao)將(jiang)目標塊(kuai)(kuai)內所有的(de)位都寫(xie)(xie)為(wei)0。

由于擦(ca)除(chu)NOR器件(jian)時是以(yi)64~128KB的塊(kuai)進行(xing)的，執(zhi)行(xing)一(yi)個寫(xie)入/擦(ca)除(chu)操(cao)作的時間(jian)為5ms，與(yu)此(ci)相反，擦(ca)除(chu)NAND器件(jian)是以(yi)8~32KB的塊(kuai)進行(xing)的，經(jing)營175度(du)進口存儲器參數，執(zhi)行(xing)相同(tong)的操(cao)作只需要(yao)4ms。

執行擦除(chu)時塊(kuai)尺寸(cun)的不同進(jin)(jin)一步拉大了NOR和NADN之間(jian)的性(xing)能差距，統計表明，對于給定的一套(tao)寫(xie)入(ru)操(cao)作(尤(you)其是(shi)更新小(xiao)文(wen)件時)，更多的擦除(chu)操(cao)作必(bi)(bi)須(xu)在基(ji)于NOR的單元中進(jin)(jin)行。這(zhe)樣，進(jin)(jin)口存(cun)儲(chu)(chu)器，當選擇存(cun)儲(chu)(chu)解決方案時，設(she)計師(shi)必(bi)(bi)須(xu)權衡(heng)以下的各項因素。

● NOR的讀速度比NAND稍(shao)快一些。

● NAND的寫入速(su)度比NOR快(kuai)很多。

● NAND的4ms擦除(chu)速度遠比(bi)NOR的5ms快。

● 大多數寫入操(cao)作需要(yao)行(xing)擦除(chu)操(cao)作。

● NAND的(de)擦除單元更小(xiao)，相應(ying)的(de)擦除電(dian)路更少。