公司(si)成(cheng)立(li)于2013年(nian)7月，專注從事單片機的應用開發及(ji)(ji)生產，并提供全系列中低壓MOS及(ji)(ji)電(dian)源、鋰電(dian)IC等的銷(xiao)售，在LED及(ji)(ji)小家電(dian)等消費類電(dian)子產品上應用廣泛，為您量身定制適(shi)合的芯片方案。

用電(dian)源IC立即驅動(dong)MOS管

一個好的(de)MOS管(guan)驅(qu)動電路有下面幾(ji)點規定(ding)：

（1）開關(guan)管(guan)(guan)啟用瞬間(jian)，驅動(dong)電(dian)路(lu)應能輸出非常大的電(dian)流，使(shi)MOS管(guan)(guan)柵源極間(jian)工作電(dian)壓快速(su)升(sheng)高到(dao)所(suo)需值(zhi)，確保開關(guan)管(guan)(guan)能迅速(su)開啟且(qie)不會有上升(sheng)沿的高頻率(lv)震蕩(dang)。

（2）電(dian)源開關通(tong)斷期內，驅動電(dian)路(lu)能確保(bao)MOS管柵源極(ji)間工(gong)作電(dian)壓(ya)長(chang)期保(bao)持，且有效通(tong)導(dao)。

（3）關(guan)(guan)閉一瞬間驅動電路(lu)，能供應一個(ge)盡量低(di)阻抗的(de)通道(dao)，供MOS管柵源極間電容工(gong)作(zuo)電壓(ya)的(de)迅速泄(xie)流(liu)，確保開關(guan)(guan)管能迅速關(guan)(guan)閉。

（4）驅動電(dian)路構(gou)造簡易靠譜、耗損(sun)小。

（5）依(yi)據具體情況開展(zhan)防護。

在控(kong)制模(mo)塊(kuai)電(dian)源(yuan)中(zhong)，常見(jian)的(de)(de)是電(dian)源(yuan)IC直接驅(qu)(qu)動(dong)(dong)(dong)MOS管(guan)。應用中(zhong)，應當留(liu)意較大(da)驅(qu)(qu)動(dong)(dong)(dong)高(gao)值電(dian)流量、MOS管(guan)的(de)(de)分(fen)(fen)布電(dian)容2個(ge)主要參數。電(dian)源(yuan)IC的(de)(de)驅(qu)(qu)動(dong)(dong)(dong)能(neng)力(li)、MOS分(fen)(fen)布電(dian)容尺(chi)寸、驅(qu)(qu)動(dong)(dong)(dong)電(dian)阻器電(dian)阻值都將危害MOS管(guan)電(dian)源(yuan)開關速率。假如挑選MOS管(guan)分(fen)(fen)布電(dian)容較為(wei)大(da)，電(dian)源(yuan)IC內部的(de)(de)驅(qu)(qu)動(dong)(dong)(dong)能(neng)力(li)又不夠時，必(bi)須在驅(qu)(qu)動(dong)(dong)(dong)電(dian)路(lu)上提高(gao)驅(qu)(qu)動(dong)(dong)(dong)能(neng)力(li)，常應用圖(tu)騰柱電(dian)源(yuan)電(dian)路(lu)提升電(dian)源(yuan)IC驅(qu)(qu)動(dong)(dong)(dong)能(neng)力(li)。

電(dian)(dian)子元器件都有電(dian)(dian)氣(qi)參數，2090mos萬芯半導體，在選(xuan)型(xing)時(shi)要(yao)給電(dian)(dian)子元器件留(liu)出足夠的余量，2090mos公(gong)司，才能保(bao)證電(dian)(dian)子元器件的穩定性和長期運行(xing)。接下來簡要(yao)介紹一下三極(ji)管和MOS管的選(xuan)型(xing)方法。

三極管是(shi)一種流(liu)控(kong)型器件，MOS管是(shi)壓(ya)控(kong)型器件，兩(liang)者之間(jian)有相(xiang)似之處，在選擇(ze)時需要考慮耐壓(ya)、電流(liu)等參數。

1、根據耐壓選型

三(san)極(ji)管的集電(dian)極(ji)C與發射(she)極(ji)E之間能(neng)承(cheng)受的電(dian)壓參數為(wei)V(BR)CEO，工作時(shi)CE之間的電(dian)壓不得超過規定值，否則三(san)極(ji)管將(jiang)永i久(jiu)損壞(huai)。

在(zai)使用過程中，MOS管(guan)的(de)漏(lou)極D與源極S之間也存在(zai)電壓(ya)，工(gong)作時DS兩(liang)端的(de)電壓(ya)不能超過規定值。一般來(lai)說，MOS管(guan)的(de)耐壓(ya)值遠高(gao)于三極管(guan)。

2、過電流能力

三極(ji)管(guan)有ICM參(can)數，即集(ji)電(dian)極(ji)的(de)過(guo)(guo)電(dian)流(liu)(liu)能(neng)(neng)力(li)(li)，MOS管(guan)的(de)過(guo)(guo)電(dian)流(liu)(liu)能(neng)(neng)力(li)(li)以ID來表示。當(dang)電(dian)流(liu)(liu)工(gong)作時，流(liu)(liu)過(guo)(guo)三極(ji)管(guan)/MOS管(guan)的(de)電(dian)流(liu)(liu)不能(neng)(neng)超過(guo)(guo)規定值，否則(ze)器件將會被燒壞。

考慮到工作穩定性(xing)，一般要留出(chu)30%-50%，甚至更多的(de)余量。

3、工作溫度

商業(ye)級芯片：一般范(fan)圍在(zai)0到(dao)+70℃；

工業級芯片:一般范圍在-40到(dao)+85℃；

軍(jun)i工(gong)級芯片：一般范圍在-55℃到(dao)+150℃；

在進行MOS管選(xuan)型(xing)時，要(yao)根據(ju)產(chan)品的(de)使用場(chang)合(he)(he)選(xuan)擇(ze)合(he)(he)適的(de)芯(xin)片。

4、根據開關(guan)頻率選擇

三極管和MOS管都有開關頻率(lv)/響應時(shi)(shi)間(jian)的參數。如果用于高頻電(dian)路中(zhong)，必須(xu)考慮開關管的響應時(shi)(shi)間(jian)是否符合使用條(tiao)件(jian)。

5、其他選型條件

例如，慈溪(xi)2090mos，MOS管的導(dao)通電(dian)(dian)阻Ron參數(shu)、MOS管的VTH開啟電(dian)(dian)壓等。

公司(si)成立于2013年(nian)7月，專注從事單片機的應(ying)用開發及生產(chan)，并提(ti)供(gong)全系(xi)列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類(lei)電子產(chan)品上應(ying)用廣泛(fan)，為您(nin)量(liang)身定制(zhi)適(shi)合的芯片方(fang)案。

現階段在行業應用層面，排名頭一個的是消費類電子器件適配器商品。而按照對MOS管的主要用途掌握，需求MOS管排名在第二的是計算機主板、NB、計算機電源適配器、LCD顯示器等商品。在伴隨著基本國情的發展趨勢，計算機主板、計算機電源適配器、LCD顯示器對MOS管的要求有要超出消費類電子器件適配器的狀況了。