公司成立于2013年7月，WPmos管廠家(jia)，專注(zhu)從事單片機(ji)的應用開發及(ji)生產，并提供(gong)全系列(lie)中低壓MOS及(ji)電(dian)源、鋰電(dian)IC等的銷售(shou)，WPmos管，在LED及(ji)小家(jia)電(dian)等消費(fei)類電(dian)子產品(pin)上(shang)應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案(an)。

場(chang)效應管(guan)通過投影(ying)一(yi)個(ge)(ge)電(dian)(dian)場(chang)在(zai)一(yi)個(ge)(ge)絕(jue)(jue)緣層上來影(ying)響(xiang)流(liu)過晶體(ti)管(guan)的電(dian)(dian)流(liu)。事實上沒有電(dian)(dian)流(liu)流(liu)過這(zhe)個(ge)(ge)絕(jue)(jue)緣體(ti)，所(suo)以(yi)FET管(guan)的GATE電(dian)(dian)流(liu)非常(chang)小(xiao)。普(pu)通的FET用一(yi)薄層二氧化硅來作為(wei)GATE極下的絕(jue)(jue)緣體(ti)。這(zhe)種晶體(ti)管(guan)稱為(wei)金屬(shu)氧化物(wu)半(ban)導體(ti)(MOS)晶體(ti)管(guan)，或，WPmos管(guan)價格，金屬(shu)氧化物(wu)半(ban)導體(ti)場(chang)效應管(guan)（MOSFET）。因為(wei)MOS管(guan)更小(xiao)更省電(dian)(dian)，所(suo)以(yi)他們已經(jing)在(zai)很多(duo)應用場(chang)合(he)取(qu)代了雙極型晶體(ti)管(guan)。

MOS管失(shi)效的兩個(ge)主要原因：

電壓失效：即漏源間的BVdss電壓超過MOS管額定電壓，達到一定容量，造成MOS管失效。

柵(zha)電(dian)壓故(gu)障(zhang)：柵(zha)極遭受異常電(dian)壓尖(jian)峰，造成(cheng)柵(zha)氧層故(gu)障(zhang)。

雪崩破壞(huai)到(dao)底是什(shen)么？簡單地說，MOS管(guan)是由母線電壓(ya)、變壓(ya)器反射(she)電壓(ya)、漏感尖峰電壓(ya)等與MOS管(guan)之間疊加而(er)形成的(de)(de)故(gu)障(zhang)模式。簡而(er)言之，即MOS管(guan)漏源(yuan)極的(de)(de)電壓(ya)超過了它規定的(de)(de)電壓(ya)值，并(bing)且達到(dao)了某一能量極限(xian)i時所產(chan)生(sheng)的(de)(de)常見(jian)故(gu)障(zhang)。

造(zao)成柵電壓異常高的主要原因有三個(ge)：生(sheng)產(chan)(chan)、運(yun)輸(shu)和裝配過程中的靜電；設備和電路(lu)寄(ji)生(sheng)參數在(zai)(zai)電力系(xi)統運(yun)行(xing)過程中產(chan)(chan)生(sheng)高壓諧振；在(zai)(zai)高壓沖擊時，高壓通過Ggd傳(chuan)輸(shu)到電網(雷擊測試時這種故(gu)障(zhang)更為常見)。

公(gong)司成立(li)于2013年7月，專注從事單片(pian)機的應用開發及(ji)(ji)生(sheng)產，并(bing)提供(gong)全系列中(zhong)低(di)壓MOS及(ji)(ji)電源、鋰電IC等的銷售(shou)，在LED及(ji)(ji)小家電等消費(fei)類電子產品上(shang)應用廣泛，為(wei)您(nin)量身定制適合的芯片(pian)方案(an)。

MOS，是(shi)MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧(yang)化(hua)物半導(dao)體(ti)場效應晶(jing)體(ti)管，簡稱金氧(yang)半場效晶(jing)體(ti)管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。