MOS管FET柵源保(bao)護：

1）避免 柵極 di/dt 過高

因為選用驅動集(ji)成(cheng)ic，其輸出阻(zu)(zu)(zu)抗(kang)較低，直(zhi)推(tui)功(gong)率(lv)管會造成(cheng)推(tui)動的(de)(de)功(gong)率(lv)管迅速的(de)(de)開啟和斷連(lian)，有可(ke)能(neng)導致(zhi)功(gong)率(lv)管漏(lou)源(yuan)極(ji)(ji)間(jian)(jian)的(de)(de)工作電(dian)壓波動，或是(shi)有可(ke)能(neng)導致(zhi)功(gong)率(lv)管遭(zao)到過高的(de)(de) di/dt 而(er)造成(cheng)誤通(tong)。為預防以上問題(ti)的(de)(de)產生，一般(ban)在(zai) MOS 控制器(qi)(qi)的(de)(de)導出與 MOS 管的(de)(de)柵極(ji)(ji)中間(jian)(jian)串連(lian)一個(ge)電(dian)阻(zu)(zu)(zu)器(qi)(qi)，電(dian)阻(zu)(zu)(zu)器(qi)(qi)的(de)(de)尺寸一般(ban)選擇幾十歐母。

2）避免 柵源極(ji)間(jian)過壓

因(yin)為柵(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)與源(yuan)極(ji)的特性阻抗很高(gao)，漏極(ji)與源(yuan)極(ji)間的工(gong)作電壓(ya)(ya)(ya)基(ji)因(yin)突變會(hui)根據極(ji)間電容藕合到柵(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)而造成非(fei)常(chang)高(gao)的柵(zha)(zha)(zha)(zha)源(yuan)頂i峰工(gong)作電壓(ya)(ya)(ya)，此(ci)工(gong)作電壓(ya)(ya)(ya)會(hui)使(shi)非(fei)常(chang)薄的柵(zha)(zha)(zha)(zha)源(yuan)空(kong)氣(qi)氧化(hua)層穿(chuan)(chuan)透(tou)，與此(ci)同時柵(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)非(fei)常(chang)容易累積正電荷也會(hui)使(shi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)源(yuan)空(kong)氣(qi)氧化(hua)層穿(chuan)(chuan)透(tou)，因(yin)此(ci)，要在(zai) MOS 管(guan)柵(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)串聯(lian)穩壓(ya)(ya)(ya)極(ji)管(guan)以限定柵(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)工(gong)作電壓(ya)(ya)(ya)在(zai)穩壓(ya)(ya)(ya)極(ji)管(guan)值下，保護 MOS 管(guan)不被穿(chuan)(chuan)透(tou)。

3）安全防護漏(lou)源極中間(jian)過壓

盡管(guan)(guan)漏(lou)源(yuan)擊穿電(dian)(dian)(dian)壓 VDS 一般都非常大，但(dan)假如漏(lou)源(yuan)極不用(yong)保(bao)護電(dian)(dian)(dian)路(lu)，一樣有可能由于器件電(dian)(dian)(dian)源(yuan)開關(guan)一瞬間電(dian)(dian)(dian)流量的基因突變(bian)而造成漏(lou)極頂(ding)i峰(feng)工作電(dian)(dian)(dian)壓，從而毀壞(huai)(huai) MOS 管(guan)(guan)，功(gong)率管(guan)(guan)電(dian)(dian)(dian)源(yuan)開關(guan)速率越快，造成的過壓也就越高。為了更(geng)好地避免器件毀壞(huai)(huai)，mos萬芯半(ban)導體，一般選用(yong)齊納二極管(guan)(guan)鉗位和 RC 緩存(cun)電(dian)(dian)(dian)路(lu)等保(bao)護對策(ce)。

MOSFET管(guan)有兩個電(dian)極，一(yi)(yi)個是金(jin)屬，另一(yi)(yi)個是外在硅，他們之間由一(yi)(yi)薄層二氧化硅分隔開。MOSFET管(guan)一(yi)(yi)般被生(sheng)產制造(zao)為四種類(lei)型(xing)，分別是增(zeng)強(qiang)型(xing)和(he)(he)耗盡(jin)型(xing)、P溝(gou)道(dao)和(he)(he)N溝(gou)道(dao)這四種，但(dan)其實在實際(ji)的(de)運(yun)用中一(yi)(yi)般只用增(zeng)強(qiang)型(xing)的(de)N溝(gou)道(dao)和(he)(he)增(zeng)強(qiang)型(xing)的(de)P溝(gou)道(dao)MOS管(guan)，因此一(yi)(yi)般情(qing)況下(xia)只要提及NMOS或是PMOS便是指的(de)是這兩種。

針對這兩種(zhong)增(zeng)強(qiang)型(xing)的(de)(de)MOS管(guan)(guan)，其中(zhong)較為普(pu)遍使(shi)用(yong)的(de)(de)是(shi)NMOS —— 原因是(shi)增(zeng)強(qiang)型(xing)的(de)(de)N溝(gou)道MOS管(guan)(guan)的(de)(de)導(dao)通(tong)電(dian)(dian)阻更小，并且生(sheng)產簡便(bian)，因此在開(kai)關電(dian)(dian)源和(he)電(dian)(dian)機驅動的(de)(de)運用(yong)中(zhong)，我們一(yi)般(ban)使(shi)用(yong)增(zeng)強(qiang)型(xing)的(de)(de)N溝(gou)道MOS管(guan)(guan)。

MOS管的(de)三個管腳中有寄(ji)(ji)生電容(rong)的(de)存在(zai)，雖然(ran)說這并不是大家所需要(yao)的(de)，但其(qi)中生產制造加(jia)工(gong)工(gong)藝需要(yao)寄(ji)(ji)生電容(rong)的(de)存在(zai)。有了寄(ji)(ji)生電容(rong)，這讓其(qi)設計方案(an)或挑選(xuan)驅(qu)動電源(yuan)電路的(de)情況(kuang)下(xia)會(hui)更麻(ma)煩一些，其(qi)中還沒有解決的(de)辦法能避免。

在MOS管(guan)的漏極(ji)(ji)和源極(ji)(ji)中有一(yi)個寄生(sheng)二(er)極(ji)(ji)管(guan)叫做體二(er)極(ji)(ji)管(guan)，寧波mos，就驅動感性負載(zai)來說(shuo)，二(er)極(ji)(ji)管(guan)對其十分重要。順帶說(shuo)一(yi)句，體二(er)極(ji)(ji)管(guan)只(zhi)在單獨的MOS管(guan)內存(cun)在，在集(ji)成電(dian)路芯片內部一(yi)般都是沒有的。

公司成立于2013年7月，專注(zhu)從事單(dan)片機的(de)應用開發及(ji)生產(chan)，mos價格(ge)，并提供(gong)全系(xi)列(lie)中(zhong)低壓(ya)MOS及(ji)電(dian)源(yuan)、鋰電(dian)IC等的(de)銷售，在LED及(ji)小(xiao)家電(dian)等消費類電(dian)子(zi)產(chan)品上(shang)應用廣泛，為(wei)您量(liang)身定制(zhi)適合的(de)芯片方案。

mos管(guan)(guan)有(you)的(de)(de)時候(hou)也稱(cheng)作絕(jue)(jue)緣柵(zha)場(chang)(chang)效應(ying)管(guan)(guan)，因(yin)為它歸屬(shu)于場(chang)(chang)效應(ying)管(guan)(guan)中(zhong)的(de)(de)絕(jue)(jue)緣柵(zha)型(xing)，全(quan)名(ming)是(shi)金(jin)屬(shu)—氧化物—半(ban)導體(ti)場(chang)(chang)效應(ying)晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)或稱(cheng)金(jin)屬(shu)—絕(jue)(jue)緣體(ti)—半(ban)導體(ti)場(chang)(chang)效應(ying)晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)，mos廠家(jia)，是(shi)一種(zhong)能夠普遍應(ying)用在模擬(ni)電路與數字(zi)電路的(de)(de)場(chang)(chang)效晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)。依據其“通道”(工(gong)作載流子)的(de)(de)極性(xing)差異(yi)，可分(fen)成“N型(xing)”與“P型(xing)”的(de)(de)兩個類(lei)型(xing)，也就是(shi)常說的(de)(de)Nmos、Pmos。