熱(re)(re)(re)壓(ya)法(fa)：ITO靶材(cai)的熱(re)(re)(re)壓(ya)制(zhi)作過程是(shi)在石墨或氧(yang)化鋁制(zhi)的模具內充(chong)填入適當粉末(mo)以(yi)后，以(yi) 100kgf/cm 2～1000kgf/cm 2的壓(ya)力單軸(zhou)向加(jia)壓(ya)，盤錦(jin)銀粒，同時以(yi)1000℃～1600℃進行燒結。熱(re)(re)(re)壓(ya)工藝制(zhi)作過程所需的成型(xing)壓(ya)力較(jiao)小，燒結溫(wen)度較(jiao)低，燒結時間較(jiao)短。但熱(re)(re)(re)壓(ya)法(fa)生(sheng)產的ITO靶材(cai)由于缺氧(yang)率(lv)高，氧(yang)含量分布不均勻，從而影響了生(sheng)產ITO薄膜的均勻性，且不能生(sheng)產大尺寸的靶。

各(ge)種純(chun)(chun)度(du)鋁中的(de)(de)雜質含量及剩(sheng)余電阻(zu)率(lv)(lv)如表2所示。超純(chun)(chun)金(jin)(jin)屬超純(chun)(chun)的(de)(de)純(chun)(chun)度(du)也可(ke)以用剩(sheng)余電阻(zu)率(lv)(lv)來測定，其(qi)值約為2×10-5。現代(dai)科學技術(shu)的(de)(de)發展趨勢是對金(jin)(jin)屬純(chun)(chun)度(du)要求越(yue)來越(yue)高。因為金(jin)(jin)屬未能達到一定純(chun)(chun)度(du)的(de)(de)情(qing)況下，銀粒技術(shu)，金(jin)(jin)屬特性往往為雜質所掩蓋。不僅是半導體(ti)材料，其(qi)他金(jin)(jin)屬也有同樣的(de)(de)情(qing)況，由于雜質存(cun)在影響金(jin)(jin)屬的(de)(de)性能。

鎢過(guo)去(qu)用(yong)作燈(deng)泡的燈(deng)絲，銀粒哪家好(hao)，由(you)于脆性而使(shi)處理上(shang)有(you)困難(nan)，在(zai)適當提純之后(hou)，這種缺點即(ji)可以克服（鎢絲也有(you)摻雜及加工問題）。

濺(jian)(jian)射(she)(she)技術(shu)：濺(jian)(jian)射(she)(she)是(shi)制備(bei)薄膜(mo)材料的(de)(de)(de)(de)主要技術(shu)之一，銀(yin)粒回收，它利用(yong)離(li)(li)(li)(li)子(zi)源產生的(de)(de)(de)(de)離(li)(li)(li)(li)子(zi)，在(zai)真空(kong)中經(jing)過加速聚(ju)集(ji)，而(er)形成(cheng)高速度能(neng)的(de)(de)(de)(de)離(li)(li)(li)(li)子(zi)束流，轟擊(ji)固(gu)(gu)體(ti)表面(mian)，離(li)(li)(li)(li)子(zi)和固(gu)(gu)體(ti)表面(mian)原(yuan)子(zi)發生動能(neng)交(jiao)換，使固(gu)(gu)體(ti)表面(mian)的(de)(de)(de)(de)原(yuan)子(zi)離(li)(li)(li)(li)開(kai)固(gu)(gu)體(ti)并沉積(ji)在(zai)基底表面(mian)，被(bei)轟擊(ji)的(de)(de)(de)(de)固(gu)(gu)體(ti)是(shi)制備(bei)濺(jian)(jian)射(she)(she)法沉積(ji)薄膜(mo)的(de)(de)(de)(de)原(yuan)材料，稱為(wei)濺(jian)(jian)射(she)(she)靶材。各種(zhong)類型的(de)(de)(de)(de)濺(jian)(jian)射(she)(she)薄膜(mo)材料無論在(zai)半(ban)導(dao)體(ti)集(ji)成(cheng)電路、太(tai)陽能(neng)光伏、記(ji)錄(lu)介(jie)質、平(ping)面(mian)顯示(shi)以及(ji)工件表面(mian)涂層(ceng)等(deng)方面(mian)都得(de)到了廣泛的(de)(de)(de)(de)應用(yong)。