鍍膜(mo)(mo)(mo)靶(ba)材(cai)是通過磁控濺(jian)射、多弧離子鍍或其他類型的(de)鍍膜(mo)(mo)(mo)系統在(zai)適(shi)當工(gong)藝條(tiao)件下濺(jian)射在(zai)基板上形成各種功(gong)能薄膜(mo)(mo)(mo)的(de)濺(jian)射源。簡單說的(de)話，純(chun)銀板材(cai)多少錢，靶(ba)材(cai)就是高(gao)速荷能粒子轟擊的(de)目標材(cai)料，純(chun)銀板材(cai)誰家好，不(bu)同功(gong)率密(mi)度、不(bu)同輸出(chu)波(bo)形、不(bu)同波(bo)長的(de)激光(guang)與不(bu)同的(de)靶(ba)材(cai)相(xiang)互作(zuo)用時，會產生(sheng)不(bu)同的(de)殺(sha)傷(shang)破壞效應。

各(ge)種類型(xing)的(de)濺射(she)薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器(qi)(qi)以(yi)(yi)及工件的(de)表面涂層等方(fang)面都得到了(le)廣泛(fan)的(de)應(ying)用。20世(shi)紀90年代以(yi)(yi)來(lai)，濺射(she)靶材及濺射(she)技(ji)術的(de)同步(bu)發展，極大(da)地滿足了(le)各(ge)種新型(xing)電子元器(qi)(qi)件發展的(de)需(xu)求。

燒結(jie)法(fa)：?ITO靶材(cai)燒結(jie)制(zhi)(zhi)作法(fa)是(shi)在以銦(yin)錫(xi)氧(yang)化物共沉淀(dian)粉末或(huo)氧(yang)化銦(yin)和(he)氧(yang)錫(xi)混合粉末為原料(liao)，加入粘結(jie)劑和(he)分散劑混合后(hou)，壓力成型(xing)，脫脂(zhi)，純銀(yin)板材(cai)報價(jia)，然后(hou)于1400℃---1600℃燒結(jie)。燒結(jie)法(fa)設備投入少(shao)，成本低，產品(pin)密(mi)度高、缺氧(yang)率低，尺寸大、但(dan)制(zhi)(zhi)造過(guo)程中對粉末的選擇(ze)性很強(qiang)。

ITO靶制備的(de)透明(ming)導(dao)電薄膜廣(guang)泛應用于數碼(ma)相(xiang)機、投影電視、數碼(ma)顯示的(de)各種光(guang)學(xue)系統中，需求量都很大。

使用電(dian)子導(dao)電(dian)性橡膠時(shi)，由(you)于導(dao)電(dian)性填充劑添加量的變化(hua)都會引發電(dian)阻劇烈變化(hua)，所以(yi)存在電(dian)阻值很(hen)難(nan)控(kong)制的問題。而且，由(you)于橡膠中的導(dao)電(dian)性填充劑難(nan)以(yi)均勻分散(san)，宣城純銀板材，所以(yi)輥筒的圓周方向和寬度方向上(shang)的電(dian)阻值不均勻。

對橡膠組合(he)物(wu)進(jin)行(xing)硫化處(chu)理(li)的方法(fa)包括使用(yong)(yong)加壓(ya)裝置和硫化處(chu)理(li)槽的間歇式(shi)或連續式(shi)硫化法(fa)。用(yong)(yong)間歇式(shi)硫化法(fa)進(jin)行(xing)硫化處(chu)理(li)制(zhi)造輥(gun)筒時，由于端部和中央部分會產生壓(ya)力和熱傳遞差，所以電阻值(zhi)不(bu)均勻。