溫補震蕩器的(de)溫度范圍(wei)

溫度補(bu)(bu)償晶(jing)體(ti)振(zhen)蕩器，其包(bao)含:底(di)(di)座(zuo)(zuo);設(she)定于底(di)(di)座(zuo)(zuo)上的(de)焊層;設(she)定于底(di)(di)座(zuo)(zuo)上的(de)溫補(bu)(bu)集成(cheng)(cheng)ic，溫補(bu)(bu)集成(cheng)(cheng)ic的(de)腳位與焊層電(dian)聯接;設(she)定于底(di)(di)座(zuo)(zuo)上的(de)石英(ying)石振(zhen)子;及電(dian)焊焊接于底(di)(di)座(zuo)(zuo)的(de)頂端的(de)金屬(shu)材料后蓋板，用以(yi)密封(feng)溫補(bu)(bu)集成(cheng)(cheng)ic和石英(ying)石振(zhen)子.本產品(pin)中溫補(bu)(bu)晶(jing)體(ti)振(zhen)蕩器解決了傳統式溫補(bu)(bu)晶(jing)振(zhen)電(dian)路中不能滿足在55℃～ 85℃寬(kuan)溫度范圍頻率(lv)穩(wen)定度≤±1ppm的(de)難題，根(gen)據提(ti)升商品(pin)的(de)構造(zao)和調節方式，完成(cheng)(cheng)晶(jing)體(ti)振(zhen)蕩器在55℃～ 85℃寬(kuan)溫度范圍頻率(lv)穩(wen)定度≤±1ppm的(de)指標值，根(gen)據微型化和一體(ti)化的(de)設(she)計(ji)方案(an)，完成(cheng)(cheng)了商品(pin)的(de)SMD5032尺寸.

溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)賠償型(xing)(xing)晶體震(zhen)蕩器(qi)，包含:一(yi)溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)感應(ying)器(qi);一(yi)模(mo)擬型(xing)(xing)溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)補(bu)(bu)(bu)償器(qi);一(yi)數字(zi)型(xing)(xing)溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)補(bu)(bu)(bu)償器(qi);一(yi)加法器(qi)電路(lu);及其(qi)一(yi)電壓操縱的(de)(de)晶體振蕩電路(lu).模(mo)擬型(xing)(xing)溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)補(bu)(bu)(bu)償器(qi)和數字(zi)型(xing)(xing)溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)補(bu)(bu)(bu)償器(qi)各自回應(ying)于(yu)他(ta)們相對應(ying)于(yu)溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)感應(ying)器(qi)檢驗的(de)(de)溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)的(de)(de)鍵入電壓造成溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)賠償電壓.

溫補振蕩器發展

準確頻(pin)率(lv)源是(shi)許多電子(zi)設(she)備(bei)組成部分(fen)(fen)，頻(pin)率(lv)源性能的(de)優劣直接(jie)關(guan)系到系統的(de)可靠(kao)性。隨著便攜式電子(zi)產(chan)品的(de)飛速發展，對頻(pin)率(lv)源的(de)要求也越(yue)來(lai)越(yue)高。普通晶(jing)體(ti)振(zhen)(zhen)蕩器(qi)是(shi)常用的(de)頻(pin)率(lv)源，溫(wen)補振(zhen)(zhen)蕩器(qi)，但由于其(qi)振(zhen)(zhen)蕩頻(pin)率(lv)隨溫(wen)度變化(hua)呈(cheng)近似的(de)三次函數關(guan)系，它的(de)應用范圍受到了限制。為了獲得(de)寬(kuan)溫(wen)度范圍的(de)準確頻(pin)率(lv)源，通常采用電路對其(qi)進行溫(wen)度補償。 本(ben)文設(she)計了一款溫(wen)度補償晶(jing)體(ti)振(zhen)(zhen)蕩器(qi)(TCXO)芯片，溫(wen)補振(zhen)(zhen)蕩器(qi)生產(chan)廠(chang)家，該芯片只需外接(jie)一顆石(shi)英晶(jing)振(zhen)(zhen)便可構成TCXO，該芯片分(fen)(fen)為壓控晶(jing)體(ti)振(zhen)(zhen)蕩器(qi)和模擬(ni)溫(wen)度補償電路兩個部分(fen)(fen)。其(qi)中的(de)壓控晶(jing)體(ti)振(zhen)(zhen)蕩器(qi)的(de)壓控電容采用MOS可變電容，實(shi)現起來(lai)成本(ben)低。

使用溫補振蕩(dang)器的注(zhu)意事項(xiang)

溫補(bu)晶體振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)器(qi)，包括基板，所(suo)述(shu)基板的(de)(de)上側設置(zhi)(zhi)有(you)(you)(you)外殼，所(suo)述(shu)外殼的(de)(de)上側設置(zhi)(zhi)有(you)(you)(you)封裝(zhuang)蓋，溫補(bu)振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)器(qi)報價，所(suo)述(shu)外殼的(de)(de)內(nei)側開(kai)設有(you)(you)(you)芯(xin)(xin)片安(an)裝(zhuang)腔(qiang)，所(suo)述(shu)芯(xin)(xin)片安(an)裝(zhuang)腔(qiang)的(de)(de)內(nei)側設置(zhi)(zhi)有(you)(you)(you)振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)電路芯(xin)(xin)片，所(suo)述(shu)芯(xin)(xin)片安(an)裝(zhuang)腔(qiang)的(de)(de)上側開(kai)設有(you)(you)(you)振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)安(an)裝(zhuang)腔(qiang)，所(suo)述(shu)振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)安(an)裝(zhuang)腔(qiang)的(de)(de)內(nei)側設置(zhi)(zhi)有(you)(you)(you)石(shi)英振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)片，溫補(bu)振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)器(qi)加(jia)工，所(suo)述(shu)外殼的(de)(de)外表(biao)面設置(zhi)(zhi)有(you)(you)(you)散(san)(san)熱(re)片;通(tong)過(guo)設計在(zai)振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)器(qi)外殼上的(de)(de)散(san)(san)熱(re)片，在(zai)使(shi)用時可(ke)以通(tong)過(guo)散(san)(san)熱(re)片加(jia)快振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)器(qi)產(chan)生的(de)(de)熱(re)量，減少(shao)熱(re)量對振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)器(qi)的(de)(de)影響，且在(zai)運輸(shu)時振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)器(qi)可(ke)以通(tong)過(guo)振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)器(qi)外殼兩端交錯設置(zhi)(zhi)的(de)(de)散(san)(san)熱(re)片相互卡合(he)，使(shi)振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)器(qi)碼放更加(jia)穩(wen)定，防止(zhi)因為晃動(dong)導致(zhi)振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)器(qi)撞擊出現(xian)損壞.