電(dian)(dian)子元器(qi)(qi)件都有電(dian)(dian)氣參數，在選型時要(yao)(yao)給電(dian)(dian)子元器(qi)(qi)件留出(chu)足(zu)夠的(de)余量(liang)，才能(neng)保證電(dian)(dian)子元器(qi)(qi)件的(de)穩(wen)定性和(he)長期運行。接下(xia)來(lai)簡要(yao)(yao)介紹一下(xia)三(san)極(ji)管和(he)MOS管的(de)選型方(fang)法。

三極(ji)管(guan)是(shi)一種流控型器(qi)件，MOS管(guan)是(shi)壓(ya)控型器(qi)件，兩者之(zhi)間有相(xiang)似之(zhi)處(chu)，寧海2090mos，在選擇時需要考慮耐壓(ya)、電流等參數。

1、根據耐壓選型

三(san)(san)極(ji)(ji)管(guan)的(de)集電極(ji)(ji)C與(yu)發(fa)射極(ji)(ji)E之間能承受(shou)的(de)電壓參數為V(BR)CEO，工作時CE之間的(de)電壓不得超過規定值，否則三(san)(san)極(ji)(ji)管(guan)將永i久損壞(huai)。

在(zai)使用過程(cheng)中，MOS管的(de)漏極(ji)D與源(yuan)極(ji)S之(zhi)間也(ye)存在(zai)電(dian)壓，工(gong)作(zuo)時DS兩端的(de)電(dian)壓不能(neng)超過規(gui)定值(zhi)。一般來說，MOS管的(de)耐壓值(zhi)遠高于三極(ji)管。

2、過電流能力

三極(ji)管(guan)(guan)有ICM參數(shu)，即集電(dian)極(ji)的過電(dian)流(liu)能力(li)(li)，MOS管(guan)(guan)的過電(dian)流(liu)能力(li)(li)以ID來表示(shi)。當(dang)電(dian)流(liu)工作時，流(liu)過三極(ji)管(guan)(guan)/MOS管(guan)(guan)的電(dian)流(liu)不能超過規(gui)定值，否則器件(jian)將會被燒壞(huai)。

考慮到工作(zuo)穩(wen)定性(xing)，一般要留出30%-50%，甚(shen)至更多的余量。

3、工作溫度

商業級芯片：一(yi)般范圍在0到+70℃；

工業級芯片:一般范圍在(zai)-40到+85℃；

軍(jun)i工級芯(xin)片：一般(ban)范(fan)圍在-55℃到+150℃；

在進(jin)行MOS管選型時，要根據產品的使用(yong)場合(he)選擇合(he)適的芯片。

4、根據開關頻率選擇

三(san)極管(guan)和MOS管(guan)都有開(kai)(kai)關(guan)頻率/響(xiang)應(ying)時間(jian)的(de)參數。如果用于高頻電路中，必須考慮開(kai)(kai)關(guan)管(guan)的(de)響(xiang)應(ying)時間(jian)是否符合使用條件。

5、其他選型條件

例如(ru)，MOS管(guan)(guan)的導通電阻(zu)Ron參數(shu)、MOS管(guan)(guan)的VTH開啟電壓等。

公司成立于2013年7月，專注從(cong)事單片(pian)機的應(ying)用(yong)開發及(ji)(ji)生產(chan)，并提供(gong)全系列中低(di)壓MOS及(ji)(ji)電(dian)源、鋰電(dian)IC等的銷售，在LED及(ji)(ji)小家電(dian)等消費類(lei)電(dian)子產(chan)品上應(ying)用(yong)廣泛，為您(nin)量身定制適合的芯片(pian)方案。

MOS 管(guan)本身有著(zhu)諸(zhu)多優(you)勢(shi)，2090mos萬芯(xin)半導(dao)體(ti)，但同時(shi)MOS管(guan)具備較(jiao)敏感的(de)短時(shi)過載能力，特別是在(zai)高(gao)頻率(lv)的(de)運用場景，因此在(zai)運用功率(lv) MOS 管(guan)務必為其制定有效的(de)保護電路來提升器件的(de)穩定性。

公司成立于(yu)2013年7月，專注從事單片機的應(ying)用開發(fa)及(ji)生產(chan)，并(bing)提供全(quan)系列中低壓(ya)MOS及(ji)電源、鋰電IC等(deng)的銷售，在(zai)LED及(ji)小家電等(deng)消費類電子產(chan)品上(shang)應(ying)用廣泛，為您量身定(ding)制適(shi)合(he)的芯片方案。

MOSFET芯片(pian)(pian)制做(zuo)進行后，必須(xu)封裝才(cai)能夠應用。說白了(le)封裝便(bian)是給(gei)MOSFET芯片(pian)(pian)加(jia)一(yi)個機(ji)殼(ke)，這一(yi)機(ji)殼(ke)具備(bei)支撐點、維(wei)護(hu)、制冷(leng)的功效，與此同時還為芯片(pian)(pian)給(gei)予保(bao)護(hu)接地和防護(hu)，2090mos廠家(jia)，便(bian)于MOSFET元(yuan)器件與其(qi)他元(yuan)器件組成(cheng)詳細(xi)的電源(yuan)電路。

輸出(chu)功率(lv)MOSFET的(de)封(feng)裝方式(shi)有(you)插入式(shi)和表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)貼裝試兩大(da)類。插入式(shi)便是(shi)MOSFET的(de)管腳穿過PCB的(de)安裝孔(kong)電焊(han)(han)焊(han)(han)接(jie)在(zai)PCB上。表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)貼裝則是(shi)MOSFET的(de)管腳及排(pai)熱(re)法電焊(han)(han)焊(han)(han)接(jie)在(zai)PCB表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)的(de)焊(han)(han)層上。

芯(xin)(xin)(xin)片(pian)的原材料、加(jia)工(gong)工(gong)藝是MOSFET性能(neng)質量的關鍵性要素，2090mos生(sheng)產(chan)廠家，重視提(ti)升MOSFET的性能(neng)的生(sheng)產(chan)制造廠商會(hui)在芯(xin)(xin)(xin)片(pian)核i心構造、相對(dui)密(mi)度及(ji)其加(jia)工(gong)工(gong)藝層面(mian)(mian)開展改善，而(er)這種技術性改善將投入很高的成本(ben)費(fei)。封裝技術性會(hui)直接影響到芯(xin)(xin)(xin)片(pian)的各種性能(neng)與(yu)質量，面(mian)(mian)對(dui)一(yi)樣的芯(xin)(xin)(xin)片(pian)需要以(yi)不一(yi)樣的方(fang)式(shi)進行封裝，這么(me)做(zuo)也(ye)可以(yi)提(ti)升芯(xin)(xin)(xin)片(pian)的性能(neng)。