采用(yong)連續式硫(liu)化(hua)法(fa)的情況下，不會(hui)有因切去加壓成形產(chan)生的毛邊或(huo)一(yi)般的擠壓處理和在硫(liu)化(hua)處理槽內進行處理時(shi)橡膠(jiao)管(guan)兩端翹起(qi)的部(bu)分(fen)而導(dao)致的橡膠(jiao)浪費，金管(guan)報(bao)價，另外能夠縮短制(zhi)造時(shi)間和減少人工費用(yong)，因此能夠降低輥筒(tong)的制(zhi)造成本，從(cong)這(zhe)些(xie)方面考(kao)慮(lv)，此方法(fa)優于間歇式硫(liu)化(hua)法(fa)。

此外，硫化處理(li)后，由于對每(mei)個輥筒都進行了剪(jian)切，所以(yi)基本上不會出現上述差別，這樣就可(ke)緩解(jie)長度方(fang)向(xiang)的(de)電阻值的(de)不均勻。

陶瓷靶材

ITO靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎂(mei)(mei)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鐵靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉻(ge)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、硫化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)(er)(er)氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、一氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)(er)(er)氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、五(wu)氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)(er)(er)鈮(ni)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)(er)(er)氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)(er)(er)氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，、二(er)(er)(er)氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉿靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，哪(na)家有(you)金(jin)管(guan)(guan)，二(er)(er)(er)硼(peng)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，二(er)(er)(er)硼(peng)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，金(jin)管(guan)(guan)，三氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎢靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，三氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)(er)(er)鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)五(wu)氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)(er)(er)鉭，五(wu)氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)(er)(er)鈮(ni)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氟(fu)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎂(mei)(mei)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氟(fu)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)釔靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、硒化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硼(peng)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，哪(na)里有(you)金(jin)管(guan)(guan)，鈮(ni)酸(suan)(suan)(suan)鋰靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦酸(suan)(suan)(suan)鐠靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦酸(suan)(suan)(suan)鋇(bei)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦酸(suan)(suan)(suan)鑭靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎳靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、濺射靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)材等。

各(ge)種(zhong)類型的濺(jian)射(she)薄(bo)(bo)膜(mo)材料在半導體集(ji)(ji)成電(dian)路(VLSI)、光碟、平面顯(xian)示器以(yi)及(ji)工件的表面涂層等(deng)方(fang)面都得(de)到了(le)廣泛的應用。20世紀90年代以(yi)來，濺(jian)射(she)靶材及(ji)濺(jian)射(she)技(ji)術(shu)的同(tong)步發(fa)展(zhan)(zhan)，極大地滿足了(le)各(ge)種(zhong)新型電(dian)子元器件發(fa)展(zhan)(zhan)的需求。例如(ru)，在半導體集(ji)(ji)成電(dian)路制造過程中，以(yi)電(dian)阻率較低的銅(tong)導體薄(bo)(bo)膜(mo)代替(ti)鋁膜(mo)布(bu)線。

在被濺(jian)射的靶極(ji)(ji)（陰極(ji)(ji)）與陽(yang)極(ji)(ji)之間(jian)加(jia)一個正交磁(ci)場(chang)(chang)和電場(chang)(chang)，在高真空(kong)室中充(chong)入所(suo)需要的惰性氣(qi)體(ti)（通常(chang)為Ar氣(qi)），磁(ci)鐵在靶材(cai)料表(biao)面形成(cheng)250～350高斯的磁(ci)場(chang)(chang)，同高壓電場(chang)(chang)組成(cheng)正交電磁(ci)場(chang)(chang)。