金屬靶材材質分為：

鎳靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Ni、鈦靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Ti、鋅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Zn、鉻靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Cr、鎂靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Mg、鈮靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Nb、錫(xi)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Sn、鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Al、銦靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、In、鐵靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Fe、鋯鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、ZrAl、鈦鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、TiAl、鋯靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Zr、鋁(lv)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、AlSi、硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Si、銅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Cu、鉭(tan)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)T、a、鍺靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Ge、銀靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Ag、鈷靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Co、金靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Au、釓靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Gd、鑭(lan)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、La、釔靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Y、鎢靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、w、不銹(xiu)鋼靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鎳鉻靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、NiCr、鉿靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Hf、鉬靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、Mo、鐵鎳靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、FeNi、鎢靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、W等。

各(ge)(ge)種類型的(de)(de)濺射薄膜(mo)材(cai)料在半(ban)導(dao)體集成電路(VLSI)、光(guang)碟、平面(mian)顯(xian)示器以(yi)及工(gong)件(jian)的(de)(de)表面(mian)涂層等方面(mian)都得(de)到了(le)廣(guang)泛的(de)(de)應用。20世(shi)紀90年代(dai)以(yi)來(lai)，宣城玫(mei)(mei)瑰(gui)金(jin)靶(ba)材(cai)，濺射靶(ba)材(cai)及濺射技術的(de)(de)同步發(fa)展(zhan)，極大地(di)滿(man)足了(le)各(ge)(ge)種新型電子元器件(jian)發(fa)展(zhan)的(de)(de)需求。例如，玫(mei)(mei)瑰(gui)金(jin)靶(ba)材(cai)報價，在半(ban)導(dao)體集成電路制造(zao)過(guo)程中，玫(mei)(mei)瑰(gui)金(jin)靶(ba)材(cai)加工(gong)，以(yi)電阻率較低的(de)(de)銅(tong)導(dao)體薄膜(mo)代(dai)替鋁(lv)膜(mo)布線。

在被濺射的(de)靶極(ji)（陰極(ji)）與(yu)陽(yang)極(ji)之(zhi)間加一個(ge)正(zheng)交磁場和電場，在高(gao)真空(kong)室中充入(ru)所需(xu)要的(de)惰性氣體(ti)（通常為Ar氣），磁鐵在靶材料表面形成(cheng)250～350高(gao)斯的(de)磁場，同(tong)高(gao)壓電場組成(cheng)正(zheng)交電磁場。

為了(le)形成(cheng)(cheng)高質(zhi)(zhi)量圖(tu)像，聚合(he)色(se)(se)粉(fen)(fen)(fen)被廣泛使(shi)用，以(yi)代替慣常使(shi)用的粉(fen)(fen)(fen)碎(sui)色(se)(se)粉(fen)(fen)(fen)。聚合(he)色(se)(se)粉(fen)(fen)(fen)允許點的，從而出色(se)(se)地(di)(di)由(you)數(shu)字信(xin)息獲得(de)印(yin)刷物(wu)，由(you)此(ci)得(de)到高質(zhi)(zhi)量的印(yin)刷物(wu)。0003和改進形成(cheng)(cheng)精細分配的色(se)(se)粉(fen)(fen)(fen)顆粒(li)、使(shi)色(se)(se)粉(fen)(fen)(fen)粒(li)徑(jing)均一、使(shi)色(se)(se)粉(fen)(fen)(fen)顆粒(li)呈球形的技術(shu)、以(yi)及(ji)從粉(fen)(fen)(fen)碎(sui)色(se)(se)粉(fen)(fen)(fen)到聚合(he)色(se)(se)粉(fen)(fen)(fen)的轉變相一致(zhi)地(di)(di)，在(zai)電子成(cheng)(cheng)像裝(zhuang)置比如激光(guang)束打印(yin)機等的成(cheng)(cheng)像裝(zhuang)置中，需要開發(fa)出一種導電輥，其賦予色(se)(se)粉(fen)(fen)(fen)以(yi)高靜電充電特性。