公(gong)司(si)成立于(yu)2013年7月，專注從(cong)事單片機的(de)應用(yong)開發及(ji)生(sheng)產，并提供全系(xi)列中低壓MOS及(ji)電(dian)源、鋰電(dian)IC等(deng)的(de)銷售，在LED及(ji)小(xiao)家(jia)電(dian)等(deng)消費類電(dian)子產品上應用(yong)廣泛，為您量身定制適(shi)合的(de)芯片方案。

MOS管制造(zao)商采用RDS(ON)參(can)數(shu)來定(ding)義(yi)導(dao)通(tong)阻(zu)(zu)抗，對(dui)開關應用來說，RDS(ON)也是重要的(de)器件特(te)性。數(shu)據(ju)手(shou)冊定(ding)義(yi)RDS(ON)與柵極(或驅動)電壓VGS以(yi)及(ji)流(liu)經開關的(de)電流(liu)有關，但對(dui)于充(chong)分的(de)柵極驅動，大電流(liu)mos廠家，RDS(ON)是一個相對(dui)靜態參(can)數(shu)。一直處于導(dao)通(tong)的(de)MOS管很(hen)容易發熱(re)。另外，大電流(liu)mos生產廠家，慢慢升高的(de)結(jie)(jie)溫也會(hui)導(dao)致RDS(ON)的(de)增加。MOS管數(shu)據(ju)手(shou)冊規定(ding)了熱(re)阻(zu)(zu)抗參(can)數(shu)，其定(ding)義(yi)為(wei)MOS管封(feng)裝的(de)半導(dao)體結(jie)(jie)散(san)熱(re)能力。RθJC的(de)簡單的(de)定(ding)義(yi)是結(jie)(jie)到管殼的(de)熱(re)阻(zu)(zu)抗。

公(gong)司成立于2013年7月，專(zhuan)注從事(shi)單片機(ji)的(de)應(ying)用開發及(ji)生產，并提供(gong)全系列中低壓MOS及(ji)電源、鋰(li)電IC等的(de)銷售，在LED及(ji)小家(jia)電等消費類電子產品上應(ying)用廣泛，為(wei)您量身(shen)定制適合的(de)芯片方案。

分辨MOS管優劣的(de)原因：JFET的(de)輸入(ru)電(dian)阻超(chao)過100MΩ，而且跨導很高，當柵極(ji)(ji)引(yin)路時室內空間(jian)磁場非(fei)常容易在(zai)柵極(ji)(ji)上(shang)(shang)檢測出(chu)工(gong)作(zuo)電(dian)壓(ya)(ya)數據信(xin)號，使管道(dao)趨(qu)(qu)向(xiang)(xiang)截至，WP大電(dian)流mos，或趨(qu)(qu)向(xiang)(xiang)通(tong)斷。若(ruo)將身體感應電(dian)壓(ya)(ya)立即加在(zai)柵極(ji)(ji)上(shang)(shang)，因為鍵(jian)入(ru)電(dian)磁干擾較強，以上(shang)(shang)情況會更為顯著(zhu)。如(ru)表(biao)針(zhen)(zhen)向(xiang)(xiang)左邊大幅偏轉，就代表(biao)著(zhu)管道(dao)趨(qu)(qu)向(xiang)(xiang)截至，漏-源極(ji)(ji)間(jian)電(dian)阻器(qi)RDS擴大，漏-源極(ji)(ji)間(jian)電(dian)流量(liang)減少IDS。相反，表(biao)針(zhen)(zhen)向(xiang)(xiang)右(you)邊大幅偏轉，寧波大電(dian)流mos，表(biao)明(ming)管道(dao)趨(qu)(qu)于通(tong)斷，RDS↓，IDS↑。但(dan)表(biao)針(zhen)(zhen)到(dao)底向(xiang)(xiang)哪一個方位偏轉，應視感應電(dian)壓(ya)(ya)的(de)正負極(ji)(ji)（正方向(xiang)(xiang)工(gong)作(zuo)電(dian)壓(ya)(ya)或反方向(xiang)(xiang)工(gong)作(zuo)電(dian)壓(ya)(ya)）及(ji)管道(dao)的(de)工(gong)作(zuo)中點(dian)而定。

公(gong)司(si)成立于2013年7月，專注從事單片機的應用(yong)開(kai)發及生產，并(bing)提供全系列(lie)中低壓MOS及電(dian)(dian)源、鋰電(dian)(dian)IC等(deng)的銷售，在LED及小家電(dian)(dian)等(deng)消(xiao)費(fei)類(lei)電(dian)(dian)子產品上應用(yong)廣泛(fan)，為您量身定(ding)制適(shi)合的芯片方(fang)案。

在(zai)電(dian)源開(kai)關等供電(dian)系(xi)統設計(ji)方(fang)案(an)中，方(fang)案(an)設計(ji)人員會更多關注MOS管的(de)(de)多個主要參數，如通斷(duan)電(dian)阻器、較大工(gong)作電(dian)壓、較大電(dian)流量。這種要素雖然關鍵，考慮到不當之處會使電(dian)源電(dian)路沒法(fa)正常的(de)(de)工(gong)作中，但其實這只完成了頭一步，MOS管自身的(de)(de)寄(ji)生參數才算(suan)是危害電(dian)源電(dian)路的(de)(de)重要之處。