光伏發電中半(ban)片光伏組(zu)件(jian)的(de)優(you)勢(shi)提高(gao)(gao)封裝(zhuang)(zhuang)效率，封裝(zhuang)(zhuang)損失常(chang)規(gui)組(zu)件(jian)一般(ban)大(da)于1%，而半(ban)片組(zu)件(jian)一般(ban)在0。2%左右。因(yin)此半(ban)片組(zu)件(jian)利用了(le)低(di)電流特點，太陽能組(zu)件(jian)出售(shou)廠(chang)商(shang)價格，有效提高(gao)(gao)組(zu)件(jian)的(de)封裝(zhuang)(zhuang)效率。發展趨勢(shi)，隨著電站(zhan)投資商(shang)平價上網的(de)壓力越(yue)來(lai)(lai)越(yue)大(da)，對度(du)電成本的(de)訴求越(yue)來(lai)(lai)越(yue)高(gao)(gao)。半(ban)片組(zu)件(jian)與常(chang)規(gui)組(zu)件(jian)相比(bi)，在制造環節主要增加(jia)的(de)成本包括(kuo)電池的(de)切片、輔料(liao)和人工(gong)費用、設備折(zhe)舊(jiu)費等。

其(qi)中主要是對(dui)光的遮(zhe)擋作用，影響(xiang)(xiang)光伏電(dian)池(chi)板(ban)對(dui)光的吸(xi)收，從而(er)影響(xiang)(xiang)光伏發(fa)電(dian)效率(lv)(lv)。灰(hui)塵沉積(ji)在電(dian)池(chi)板(ban)組(zu)件(jian)受(shou)光面，首(shou)先會使電(dian)池(chi)板(ban)表面透光率(lv)(lv)下降;其(qi)次會使部分(fen)光線的入(ru)射角度發(fa)生改(gai)變，造成(cheng)光線在玻璃(li)蓋(gai)板(ban)中不均勻傳播。有(you)研(yan)究顯示在相同(tong)條件(jian)下，清潔的電(dian)池(chi)板(ban)組(zu)件(jian)與積(ji)灰(hui)組(zu)件(jian)相比，太陽能組(zu)件(jian)的價錢表，其(qi)輸(shu)(shu)出功率(lv)(lv)要高出至少(shao)5%，且積(ji)灰(hui)量越(yue)(yue)高，組(zu)件(jian)輸(shu)(shu)出性(xing)能下降越(yue)(yue)大。

光(guang)(guang)伏(fu)(fu)組(zu)件材(cai)料(liao)分類多(duo)(duo)元(yuan)化(hua)合物(wu)多(duo)(duo)元(yuan)化(hua)合物(wu)太(tai)陽(yang)(yang)電(dian)池指不是用(yong)單一元(yuan)素半(ban)(ban)導體(ti)(ti)材(cai)料(liao)制成(cheng)的(de)太(tai)陽(yang)(yang)電(dian)池。各國研究(jiu)的(de)品種(zhong)繁多(duo)(duo)，大多(duo)(duo)數尚未工業化(hua)生產，主要有(you)以(yi)(yi)(yi)下(xia)幾(ji)種(zhong)：a)光(guang)(guang)伏(fu)(fu)組(zu)件b)光(guang)(guang)伏(fu)(fu)組(zu)件c)銅銦(yin)硒光(guang)(guang)伏(fu)(fu)組(zu)件(新型(xing)多(duo)(duo)元(yuan)帶(dai)(dai)隙梯(ti)度(du)Cu(In，Ga)Se2薄(bo)(bo)膜(mo)光(guang)(guang)伏(fu)(fu)組(zu)件)Cu(In，Ga)Se2是一種(zhong)性能優(you)良太(tai)陽(yang)(yang)光(guang)(guang)吸(xi)收材(cai)料(liao)，太(tai)陽(yang)(yang)能組(zu)件采購部門，具有(you)梯(ti)度(du)能帶(dai)(dai)間(jian)隙（導帶(dai)(dai)與價帶(dai)(dai)之間(jian)的(de)能級差）多(duo)(duo)元(yuan)的(de)半(ban)(ban)導體(ti)(ti)材(cai)料(liao)，可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)擴大太(tai)陽(yang)(yang)能吸(xi)收光(guang)(guang)譜范圍，進而提(ti)高光(guang)(guang)電(dian)轉(zhuan)化(hua)效(xiao)率。以(yi)(yi)(yi)它為基礎可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)設(she)計(ji)出光(guang)(guang)電(dian)轉(zhuan)換(huan)效(xiao)率比(bi)硅(gui)薄(bo)(bo)膜(mo)光(guang)(guang)伏(fu)(fu)組(zu)件明顯(xian)提(ti)高的(de)薄(bo)(bo)膜(mo)光(guang)(guang)伏(fu)(fu)組(zu)件。可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)達到的(de)光(guang)(guang)電(dian)轉(zhuan)化(hua)率為18%，而且，太(tai)陽(yang)(yang)能組(zu)件，此類薄(bo)(bo)膜(mo)光(guang)(guang)伏(fu)(fu)組(zu)件未發現(xian)有(you)光(guang)(guang)輻射引致性能效(xiao)應（SWE），其光(guang)(guang)電(dian)轉(zhuan)化(hua)效(xiao)率比(bi)商用(yong)的(de)薄(bo)(bo)膜(mo)光(guang)(guang)伏(fu)(fu)組(zu)件板提(ti)高約50~75%，在薄(bo)(bo)膜(mo)光(guang)(guang)伏(fu)(fu)組(zu)件中屬于世界(jie)的(de)水平的(de)光(guang)(guang)電(dian)轉(zhuan)化(hua)效(xiao)率。