電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)組(zu)(zu)件的(de)(de)(de)(de)制作(zuo)流程(cheng)(1)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)測(ce)(ce)試由(you)于電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)片制作(zuo)條(tiao)件的(de)(de)(de)(de)隨機(ji)性(xing)，生(sheng)產出來的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)性(xing)能不(bu)盡相(xiang)同，所(suo)以為了有效的(de)(de)(de)(de)將性(xing)能一(yi)致或相(xiang)近的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)組(zu)(zu)合(he)在一(yi)起，所(suo)以應根據其(qi)性(xing)能參數進行(xing)分類;電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)測(ce)(ce)試即通過測(ce)(ce)試電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)輸出參數(電(dian)(dian)流和電(dian)(dian)壓(ya))的(de)(de)(de)(de)大小對其(qi)進行(xing)分類。以提(ti)高電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)利用率，做出質量合(he)格(ge)的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)組(zu)(zu)件。(2)修邊(bian)層壓(ya)時EVA熔化后由(you)于壓(ya)力而向外延伸固(gu)化形(xing)成毛邊(bian)，太陽能組(zu)(zu)件單晶，所(suo)以層壓(ya)完畢(bi)應將其(qi)切除。

電(dian)池(chi)組(zu)件(jian)(jian)的(de)制作流(liu)程(1)正(zheng)面(mian)(mian)焊(han)(han)(han)(han)接(jie)將(jiang)匯流(liu)帶焊(han)(han)(han)(han)接(jie)到電(dian)池(chi)正(zheng)面(mian)(mian)(負極)的(de)主柵(zha)線(xian)(xian)上(shang)，匯流(liu)帶為(wei)(wei)鍍(du)錫的(de)銅帶，我們使用的(de)焊(han)(han)(han)(han)接(jie)機可以(yi)將(jiang)焊(han)(han)(han)(han)帶以(yi)多(duo)點的(de)形式點焊(han)(han)(han)(han)在(zai)主柵(zha)線(xian)(xian)上(shang)。焊(han)(han)(han)(han)接(jie)用的(de)熱(re)源(yuan)為(wei)(wei)一(yi)個紅(hong)(hong)外(wai)燈(利用紅(hong)(hong)外(wai)線(xian)(xian)的(de)熱(re)效應)。焊(han)(han)(han)(han)帶的(de)長度約為(wei)(wei)電(dian)池(chi)邊長的(de)2倍(bei)。多(duo)出的(de)焊(han)(han)(han)(han)帶在(zai)背面(mian)(mian)焊(han)(han)(han)(han)接(jie)時(shi)與(yu)后面(mian)(mian)的(de)電(dian)池(chi)片的(de)背面(mian)(mian)電(dian)極相連(lian)。(2)焊(han)(han)(han)(han)接(jie)接(jie)線(xian)(xian)盒在(zai)組(zu)件(jian)(jian)背面(mian)(mian)引線(xian)(xian)處焊(han)(han)(han)(han)接(jie)一(yi)個盒子，以(yi)利于(yu)電(dian)池(chi)與(yu)其他設(she)備或電(dian)池(chi)間的(de)連(lian)接(jie)。

單晶(jing)硅(gui)(gui)太(tai)(tai)陽(yang)(yang)能(neng)板(ban)單晶(jing)硅(gui)(gui)太(tai)(tai)陽(yang)(yang)電(dian)池(chi)是采用單晶(jing)硅(gui)(gui)片來制造的(de)(de)(de)(de)(de)太(tai)(tai)陽(yang)(yang)能(neng)板(ban)，這類太(tai)(tai)陽(yang)(yang)能(neng)板(ban)發(fa)展(zhan)早，技術也(ye)為(wei)成熟。與(yu)其(qi)他(ta)種類的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)池(chi)相(xiang)比，單晶(jing)硅(gui)(gui)太(tai)(tai)陽(yang)(yang)能(neng)板(ban)的(de)(de)(de)(de)(de)性(xing)能(neng)穩定，轉(zhuan)換效(xiao)率(lv)很高(gao)(gao)，上海(hai)太(tai)(tai)陽(yang)(yang)能(neng)組件，目(mu)前規模化生(sheng)(sheng)產(chan)的(de)(de)(de)(de)(de)商(shang)品(pin)電(dian)池(chi)效(xiao)率(lv)已達17%~22%。由于技術的(de)(de)(de)(de)(de)進步(bu)，價格(ge)也(ye)不斷(duan)下降(jiang)，曾經長時期占領(ling)大(da)的(de)(de)(de)(de)(de)市場(chang)份額，但由于生(sheng)(sheng)產(chan)成本較(jiao)高(gao)(gao)，年(nian)產(chan)量(liang)在1998年(nian)后(hou)已被多晶(jing)硅(gui)(gui)太(tai)(tai)陽(yang)(yang)能(neng)板(ban)超過(guo)。不過(guo)在以后(hou)的(de)(de)(de)(de)(de)若(ruo)千年(nian)內，單晶(jing)硅(gui)(gui)太(tai)(tai)陽(yang)(yang)能(neng)板(ban)仍會繼續發(fa)展(zhan)，通過(guo)大(da)規模生(sheng)(sheng)產(chan)和(he)向超薄、有(you)效(xiao)發(fa)展(zhan)，有(you)望進一(yi)步(bu)降(jiang)低(di)成本。并保持較(jiao)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)市場(chang)份額。