石英晶體振蕩器(qi)的發展(zhan)趨勢(shi)

1、小(xiao)型化、薄(bo)片(pian)化和片(pian)式化：為滿足(zu)移動電話為代表的(de)(de)便攜式產品輕、薄(bo)、短小(xiao)的(de)(de)要求，石英晶體振蕩器(qi)(qi)的(de)(de)封(feng)裝(zhuang)由傳統的(de)(de)裸金屬外(wai)殼覆塑料金屬向陶瓷封(feng)裝(zhuang)轉變。例(li)如TCXO這類器(qi)(qi)件的(de)(de)體積(ji)縮小(xiao)了30～100倍。采用SMD封(feng)裝(zhuang)的(de)(de)TCXO厚度不足(zu)2mm，目(mu)前5×3mm尺寸的(de)(de)器(qi)(qi)件已經上市。

2、高(gao)精度與(yu)高(gao)穩定度，目前無補償式晶體振(zhen)蕩器總精度也能達到(dao)±25ppm，上偏(pian)晶振(zhen)，VCXO的頻率穩定度在(zai)10～7℃范圍內(nei)一般可(ke)達±20～100ppm，而OCXO在(zai)同一溫度范圍內(nei)頻率穩定度一般為(wei)±0.0001～5ppm，VCXO控制在(zai)±25ppm以下。

振蕩器的常見指標

初始準確率:指振蕩(dang)器上電工作某(mou)一段短時間(jian)內的頻率準確度:—般為開(kai)機八分鐘(zhong)至30分鐘(zhong)，25度室溫，上偏晶振報價(jia)，需要等到(dao)晶振穩定(ding)工作

老化率(lv):振蕩器在工作一(yi)段時間后由于內部結構的改(gai)變引起的頻率(lv)偏移

引起(qi)原因:不同(tong)的(de)熱(re)膨脹(zhang)系數、焊(han)接材料在凝固、加工(gong)時(shi)尺寸(cun)的(de)改(gai)變、由(you)于成(cheng)型(xing)，上(shang)偏晶振(zhen)價格，焊(han)接時(shi)的(de)殘余(yu)應力(li)(li)，電極的(de)內應力(li)(li)、石英在生(sheng)長中的(de)不均勻，雜質和(he)其他(ta)缺陷、切割，點清晰和(he)腐蝕引起(qi)的(de)表面破壞的(de)影響、電極應力(li)(li)和(he)支架(jia)為對(dui)準的(de)彎(wan)矩，晶格內部(bu)產生(sheng)局部(bu)化應力(li)(li)產生(sheng)的(de)破壞

根據(ju)測試時長老(lao)(lao)化(hua)率一般(ban)分日老(lao)(lao)化(hua)率、月老(lao)(lao)化(hua)了、年(nian)老(lao)(lao)化(hua)率。

晶體(ti)振蕩(dang)器的主要參數

（1）頻(pin)率(lv)準(zhun)確度；（2）溫(wen)度穩定度；（3）頻(pin)率(lv)調節范圍;（4）調頻(pin)（壓(ya)控）特(te)(te)性(xing)；（5）負載(zai)特(te)(te)性(xing)；（6）電壓(ya)特(te)(te)性(xing)；（7）雜波(bo)(bo)；（8）諧(xie)波(bo)(bo)；（9）頻(pin)率(lv)老化；（10）日波(bo)(bo)動(dong)；（11）開(kai)機特(te)(te)性(xing)；（12）相(xiang)位(wei)噪聲。我司可(ke)提(ti)供(gong)高(gao)溫(wen)電子解決(jue)方(fang)案，常年備有大量(liang)高(gao)溫(wen)晶(jing)振(zhen)的(de)現貨，上偏晶(jing)振(zhen)生(sheng)產(chan)廠家，可(ke)以從性(xing)能(neng)參數(shu)，成(cheng)本等各方(fang)面為您的(de)設(she)計(ji)保駕護航，有的(de)技術人員協助(zhu)您設(she)計(ji)，歡迎您前來咨詢！