溫補晶振介紹

溫補晶(jing)振(zhen)輸(shu)出(chu)方式分：削峰(feng)正弦波輸(shu)出(chu)（+/-1ppm@-40℃--+85℃），CMOS 方波輸(shu)出(chu)（+/-1ppm@-40℃--+85℃），LVDS 差分方波輸(shu)出(chu)（+/-1ppm@-40℃--+85℃）（0.8p 低抖動(dong)）。另外溫補晶(jing)振(zhen) 32.768KHz 低功耗(hao)可達（0.79μA@1.8V，方波輸(shu)出(chu)晶(jing)振(zhen)，1.05μA@2.5V，1.25μA@3.0V，1.37μA@3.3V，2.05μA@5V）。

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石英晶(jing)體振蕩器(qi)與石英晶(jing)體諧振器(qi)都(dou)是提供穩定電路頻率的一種電子器(qi)件

石(shi)(shi)英(ying)(ying)晶(jing)體振蕩器是(shi)利(li)用石(shi)(shi)英(ying)(ying)晶(jing)體的(de)壓電效應來(lai)起(qi)振，而石(shi)(shi)英(ying)(ying)晶(jing)體諧(xie)振器是(shi)利(li)用石(shi)(shi)英(ying)(ying)晶(jing)體和內置IC來(lai)共(gong)同(tong)作用來(lai)工作的(de)。

振(zhen)蕩器直接(jie)應用于電路(lu)中，諧振(zhen)器工作時一(yi)般需要(yao)提供3.3V電壓來維持(chi)工作。振(zhen)蕩器比諧振(zhen)器多了一(yi)個(ge)(ge)重(zhong)要(yao)技術參數為(wei)：諧振(zhen)電阻（RR），諧振(zhen)器沒有(you)電阻要(yao)求。RR的大小直接(jie)影響電路(lu)的性能，也(ye)是各商家競爭的一(yi)個(ge)(ge)重(zhong)要(yao)參數。

可(ke)能有些初學(xue)者會(hui)對晶振(zhen)的頻(pin)率(lv)感(gan)到奇怪，12M、24M之類的晶振(zhen)較好理解，選用如11.0592MHZ的晶振(zhen)給人一種奇怪的感(gan)覺，方(fang)波輸出晶振(zhen)原廠(chang)，這個(ge)問題解釋起來比較麻煩，如果初學(xue)者在練習串口(kou)編程(cheng)的時候就會(hui)對此有所理解，這種晶振(zhen)主要是可(ke)以方(fang)便和準確的設計串口(kou)或其(qi)它異步通(tong)訊時的波特率(lv)。

普通晶振和溫補晶振

1、普通晶振

普通晶(jing)(jing)體(ti)振蕩(dang)器(qi)(SPXO)是簡單的(de)晶(jing)(jing)體(ti)振蕩(dang)器(qi)，它是由晶(jing)(jing)體(ti)元件與振蕩(dang)電路按設計要求(qiu)，方波(bo)輸出晶(jing)(jing)振報價，集成裝配在PCB電路板上并用金屬外殼封裝而(er)成的(de)頻率器(qi)件，通常用作微處(chu)理器(qi)的(de)時鐘器(qi)件。

2、溫補晶振

溫(wen)(wen)(wen)度(du)補(bu)(bu)償晶(jing)體(ti)(ti)振(zhen)蕩器(TCXO)，在晶(jing)振(zhen)內部采取了對晶(jing)體(ti)(ti)頻率溫(wen)(wen)(wen)度(du)特性(xing)(xing)進行補(bu)(bu)償，以達到在寬溫(wen)(wen)(wen)溫(wen)(wen)(wen)度(du)范圍內滿足穩定(ding)度(du)要求的晶(jing)體(ti)(ti)振(zhen)蕩器。一般模擬式(shi)溫(wen)(wen)(wen)補(bu)(bu)晶(jing)振(zhen)采用熱(re)敏補(bu)(bu)償網(wang)絡。補(bu)(bu)償后頻率精度(du)更(geng)高(gao)，由于其(qi)良好(hao)的開機特性(xing)(xing)、的性(xing)(xing)能價(jia)格(ge)比及功耗(hao)低、體(ti)(ti)積小、環境適應性(xing)(xing)較強等多方(fang)面優點，通(tong)常用于通(tong)信設備，如(ru)手機，GPS定(ding)位等。