將(jiang)一個負載連接在(zai)太(tai)陽能(neng)(neng)電池的(de)(de)上(shang)下兩表面間(jian)時，將(jiang)有電流(liu)(liu)流(liu)(liu)過該負載，于是太(tai)陽能(neng)(neng)電池 就(jiu)產生(sheng)了(le)電流(liu)(liu)；太(tai)陽能(neng)(neng)電池吸收(shou)的(de)(de)光(guang)子越(yue)多，淮(huai)北太(tai)陽能(neng)(neng)組件(jian)，產生(sheng)的(de)(de)電流(liu)(liu)也就(jiu)越(yue)大。光(guang)伏組件(jian)對晶(jing)(jing)(jing)硅電池組件(jian)背(bei)板的(de)(de)性(xing)(xing)能(neng)(neng)要求通常包括：1.具(ju)有良好的(de)(de)耐(nai)氣候性(xing)(xing)能(neng)(neng)；2.層壓溫度下不起任何變化(hua)。光(guang)伏組件(jian)中單(dan)晶(jing)(jing)(jing)組件(jian)制造流(liu)(liu)程單(dan)晶(jing)(jing)(jing)電池組件(jian)的(de)(de)制造始于單(dan)晶(jing)(jing)(jing)爐(lu)(lu)(lu)，在(zai)單(dan)晶(jing)(jing)(jing)爐(lu)(lu)(lu)中將(jiang)“籽晶(jing)(jing)(jing)”放于旋轉軸(zhou)上(shang)讓硅晶(jing)(jing)(jing)體圍(wei)繞其(qi)緩(huan)慢生(sheng)長。單(dan)晶(jing)(jing)(jing)爐(lu)(lu)(lu)的(de)(de)生(sheng)長特征使得每一根單(dan)晶(jing)(jing)(jing)棒都是圓的(de)(de)，家(jia)用太(tai)陽能(neng)(neng)組件(jian)，單(dan)晶(jing)(jing)(jing)電池生(sheng)產過程中還必須要有一個切方的(de)(de)過程。

光(guang)伏(fu)(fu)組(zu)(zu)件(jian)(jian)(jian)的(de)背板材(cai)料正適(shi)合(he)封裝太(tai)陽(yang)能電(dian)(dian)池(chi)組(zu)(zu)件(jian)(jian)(jian)，太(tai)陽(yang)能組(zu)(zu)件(jian)(jian)(jian)廠，作(zuo)為電(dian)(dian)池(chi)組(zu)(zu)件(jian)(jian)(jian)的(de)背板材(cai)料有(you)效地防止(zhi)了各種介質(zhi)尤(you)其是(shi)(shi)水(shui)、氧(yang)、腐(fu)蝕(shi)(shi)性氣(qi)體等對EVA和太(tai)陽(yang)能電(dian)(dian)池(chi)片的(de)侵蝕(shi)(shi)與影響。光(guang)伏(fu)(fu)組(zu)(zu)件(jian)(jian)(jian)框架結構應(ying)該是(shi)(shi)沒有(you)突出部位(wei)的(de)，以(yi)避(bi)免水(shui)、灰塵或者其他物體的(de)積存。其表(biao)面氧(yang)化層厚度大于10μm，可以(yi)保證在(zai)室外環(huan)(huan)境使用30年以(yi)上不被腐(fu)蝕(shi)(shi)，太(tai)陽(yang)能組(zu)(zu)件(jian)(jian)(jian)的(de)價錢表(biao)，牢固耐(nai)用。光(guang)伏(fu)(fu)組(zu)(zu)件(jian)(jian)(jian)是(shi)(shi)一套光(guang)伏(fu)(fu)系統(tong)中的(de)部分，那么它是(shi)(shi)怎樣制造的(de)呢？從上游的(de)原材(cai)料到終(zhong)的(de)光(guang)伏(fu)(fu)組(zu)(zu)件(jian)(jian)(jian)產品，需要(yao)經過多晶(jing)硅(gui)(gui)料、硅(gui)(gui)錠/硅(gui)(gui)棒、光(guang)伏(fu)(fu)電(dian)(dian)池(chi)片、光(guang)伏(fu)(fu)組(zu)(zu)件(jian)(jian)(jian)等四(si)個環(huan)(huan)節，然后才能鋪在(zai)屋(wu)頂上發電(dian)(dian)。

光伏(fu)組件(jian)的(de)(de)(de)背(bei)板材料中白色的(de)(de)(de)復合(he)膜還(huan)可對(dui)陽(yang)光起反射(she)作(zuo)用，能(neng)提(ti)高電(dian)池(chi)組件(jian)的(de)(de)(de)轉換效率，且對(dui)紅(hong)外線也(ye)有較強的(de)(de)(de)反射(she)，可降低電(dian)池(chi)組件(jian)在強陽(yang)光下的(de)(de)(de)工作(zuo)溫(wen)度(du)。多(duo)(duo)晶硅料多(duo)(duo)晶硅料是半導體(ti)行業(ye)(ye)的(de)(de)(de)基(ji)礎原料，也(ye)是光伏(fu)產業(ye)(ye)的(de)(de)(de)基(ji)礎原料。通(tong)過(guo)冶煉工藝將SiO冶煉還(huan)原為98%純(chun)度(du)的(de)(de)(de)工業(ye)(ye)Si，再(zai)通(tong)過(guo)改良西門子法或者流化床法進一(yi)步(bu)把工業(ye)(ye)級Si提(ti)純(chun)到99.9999%的(de)(de)(de)太陽(yang)能(neng)級多(duo)(duo)晶硅。