采用連續(xu)式硫(liu)(liu)化法(fa)的情況(kuang)下，不(bu)會(hui)有(you)因(yin)切去加壓成(cheng)形產生的毛邊或一(yi)般的擠壓處(chu)理(li)和在硫(liu)(liu)化處(chu)理(li)槽內進(jin)行處(chu)理(li)時橡膠(jiao)管兩端(duan)翹起(qi)的部(bu)分而導致的橡膠(jiao)浪費，貴金屬復(fu)合材料(liao)誰家好，另外能夠(gou)縮短制造時間(jian)和減少(shao)人工費用，因(yin)此能夠(gou)降低輥筒的制造成(cheng)本，從這些(xie)方(fang)面考(kao)慮，此方(fang)法(fa)優(you)于(yu)間(jian)歇式硫(liu)(liu)化法(fa)。

此外，硫化(hua)處(chu)理后，由于對每個輥筒都進行了剪切(qie)，湖南貴金屬復(fu)合材料，所以基(ji)本上不會(hui)出現上述(shu)差別，這樣(yang)就可緩(huan)解長度方(fang)向的電阻值的不均勻。

超純(chun)金屬(shu)的檢(jian)測(ce)方法極為(wei)困難。痕量元素的化(hua)學(xue)分(fen)(fen)析(xi)系(xi)指(zhi)一克(ke)(ke)樣品中(zhong)含有微(wei)(wei)克(ke)(ke)級（10克(ke)(ke)/克(ke)(ke)）、毫(hao)微(wei)(wei)克(ke)(ke)級（10克(ke)(ke)/克(ke)(ke)）、微(wei)(wei)微(wei)(wei)克(ke)(ke)級（10克(ke)(ke)/克(ke)(ke)）雜(za)質的確定。常用的手段(duan)有中(zhong)子和帶電粒子活化(hua)分(fen)(fen)析(xi)，原子吸收光(guang)(guang)譜(pu)分(fen)(fen)析(xi)，貴金屬(shu)復合材料哪家好，熒光(guang)(guang)分(fen)(fen)光(guang)(guang)光(guang)(guang)度分(fen)(fen)析(xi)，質譜(pu)分(fen)(fen)析(xi)，化(hua)學(xue)光(guang)(guang)譜(pu)分(fen)(fen)析(xi)及氣體(ti)分(fen)(fen)析(xi)等。在單(dan)晶體(ti)高(gao)純(chun)材料中(zhong)，晶體(ti)缺陷對材料性(xing)能起顯著影響，稱為(wei)物(wu)理雜(za)質，主要依靠在晶體(ti)生長(chang)過程(cheng)中(zhong)控制單(dan)晶平穩均勻的生長(chang)來(lai)減少(shao)晶體(ti)缺陷。

任(ren)何金屬都不能達到純。“超純”具有(you)相對(dui)的(de)含(han)義(yi)，是指技術上達到的(de)標準。

由于技(ji)術(shu)的(de)(de)發(fa)展，也常使 “超純(chun)”的(de)(de)標準升級。“超純(chun)”的(de)(de)相對名詞(ci)是(shi)指(zhi)“雜(za)(za)質”，廣義的(de)(de)雜(za)(za)質是(shi)指(zhi)化(hua)學雜(za)(za)質（元素）及“物理雜(za)(za)質”（晶體缺(que)陷），后者是(shi)指(zhi)位(wei)錯及空(kong)位(wei)等，而化(hua)學雜(za)(za)質是(shi)指(zhi)基體以外的(de)(de)原(yuan)子以代位(wei)或(huo)填隙等形式摻入(ru)。

但只當金(jin)屬(shu)純度達到(dao)很高的標準(zhun)時（如純度9以上的金(jin)屬(shu)），物(wu)理雜(za)質的概念才(cai)是有意(yi)義(yi)的，因此目(mu)前工業生產的金(jin)屬(shu)仍是以化學雜(za)質的含量(liang)(liang)作為(wei)標準(zhun)，即以金(jin)屬(shu)中雜(za)質總含量(liang)(liang)為(wei)百萬分之(zhi)幾表示。