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IGBT是一(yi)種重要(yao)的(de)(de)電力電子器件(jian),天津(jin)IGBT模(mo)(mo)塊(kuai),它的(de)(de)性(xing)能(neng)直接影響到整個系統的(de)(de)效率(lv)和(he)(he)穩(wen)定(ding)性(xing)。新(xin)(xin)功率(lv)的(de)(de)研(yan)發(fa)(fa)團隊通(tong)過多年的(de)(de)研(yan)究(jiu)和(he)(he)積累經驗(yan)成功開(kai)發(fa)(fa)出了一(yi)款(kuan)、低(di)損耗的(de)(de)新(xin)(xin)型IGBT模(mo)(mo)塊(kuai)——XNP1200G456T3M-SMAF。這款(kuan)新(xin)(xin)型號在繼承了原(yuan)有產品優(you)點(dian)的(de)(de)同時又進行了升(sheng)級和(he)(he)改進:采用(yong)(yong)新(xin)(xin)一(yi)代溝(gou)槽型設計結構提(ti)高了電流(liu)容量(liang);采用(yong)(yong)了的(de)(de)熱(re)傳(chuan)導技(ji)術降低(di)了封裝內(nei)溫升(sheng)水(shui)平(可(ke)降低(di)至(zhi)7°C/W);具備自動(dong)關(guan)斷功能(neng)保護后續電路免受浪涌沖擊(ji)等(deng)優(you)勢(shi)特(te)點(dian)。同時適用(yong)(yong)于單向導通(tong)及逆變應(ying)用(yong)(yong)場景(jing),IGBT模(mo)(mo)塊(kuai)配件(jian)有哪些(xie),其開(kai)關(guan)頻率(lv)高達(da)8kA,Max.開(kai)通(tong)角(jiao)90μs(典型值),并且還具有可(ke)靠性(xing)高及應(ying)用(yong)(yong)范(fan)圍(wei)廣(guang)等(deng)特(te)點(dian)備受關(guan)注(zhu)和(he)(he)應(ying)用(yong)(yong)需(xu)求(qiu)。總(zong)之它能(neng)夠為新(xin)(xin)能(neng)源領域(yu)的(de)(de)發(fa)(fa)展(zhan)提(ti)供強(qiang)有力的(de)(de)技(ji)術支(zhi)持和(he)(he)發(fa)(fa)展(zhan)動(dong)力支(zhi)持。。
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