金屬靶材(cai)就(jiu)是高速荷能粒(li)子(zi)轟擊的目標材(cai)料。有金屬類、合金類、氧化物類等等。

簡單說的(de)話(hua)，香(xiang)檳金(jin)靶(ba)材(cai)報價，例(li)如(ru)：蒸發磁控濺射鍍膜(mo)(mo)是加熱蒸發鍍膜(mo)(mo)......鋁(lv)膜(mo)(mo)等(deng)。更換不同(tong)的(de)靶(ba)材(cai)（如(ru)鋁(lv)、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶(ba)等(deng)），即(ji)可得到(dao)不同(tong)的(de)膜(mo)(mo)系（如(ru)超(chao)硬、耐磨、防腐的(de)合(he)金(jin)膜(mo)(mo)等(deng)）。

應用于顯示屏的阻擋(dang)層或調色(se)層，筆(bi)記本電(dian)腦的裝飾層、電(dian)池的封裝等.

各(ge)(ge)種(zhong)類型的(de)濺(jian)射薄(bo)膜(mo)材(cai)料在(zai)半導體(ti)集成(cheng)電(dian)路(VLSI)、光(guang)碟、平(ping)面顯示(shi)器(qi)以及(ji)工件的(de)表面涂層等方面都(dou)得到(dao)了廣泛的(de)應用。20世紀90年代(dai)(dai)以來，濺(jian)射靶(ba)材(cai)及(ji)濺(jian)射技術(shu)的(de)同步發展，香檳(bin)金靶(ba)材(cai)制(zhi)造(zao)，極大地滿足(zu)了各(ge)(ge)種(zhong)新型電(dian)子(zi)元器(qi)件發展的(de)需(xu)求(qiu)。例如(ru)，在(zai)半導體(ti)集成(cheng)電(dian)路制(zhi)造(zao)過程中，以電(dian)阻率(lv)較低的(de)銅導體(ti)薄(bo)膜(mo)代(dai)(dai)替鋁膜(mo)布(bu)線(xian)：在(zai)平(ping)面顯示(shi)器(qi)產(chan)業中，各(ge)(ge)種(zhong)顯示(shi)技術(shu)(如(ru)LCD、PDP、OLED及(ji)FED等)的(de)同步發展，有的(de)已經用于電(dian)腦(nao)及(ji)計算機的(de)顯示(shi)器(qi)制(zhi)造(zao)；在(zai)信息存(cun)儲產(chan)業中，磁性存(cun)儲器(qi)的(de)存(cun)儲容(rong)量不斷(duan)增加，新的(de)磁光(guang)記錄(lu)材(cai)料不斷(duan)推陳出新這些都(dou)對(dui)所需(xu)濺(jian)射靶(ba)材(cai)的(de)質量提出了越來越高的(de)要求(qiu)，淮南香檳(bin)金靶(ba)材(cai)，需(xu)求(qiu)數量也逐年增加。

使用電(dian)子導電(dian)性橡膠時，香檳(bin)金靶材價格，由(you)于導電(dian)性填充劑添加量(liang)的(de)變(bian)化都會(hui)引發電(dian)阻劇烈變(bian)化，所(suo)(suo)以存在(zai)電(dian)阻值很(hen)難控(kong)制的(de)問題。而且，由(you)于橡膠中的(de)導電(dian)性填充劑難以均勻分散(san)，所(suo)(suo)以輥筒(tong)的(de)圓(yuan)周方向(xiang)和寬(kuan)度方向(xiang)上的(de)電(dian)阻值不均勻。

對(dui)橡膠組合物進行(xing)硫(liu)化(hua)處理(li)的方法(fa)(fa)包括使(shi)用(yong)加壓(ya)裝置和硫(liu)化(hua)處理(li)槽的間(jian)歇式(shi)或連續式(shi)硫(liu)化(hua)法(fa)(fa)。用(yong)間(jian)歇式(shi)硫(liu)化(hua)法(fa)(fa)進行(xing)硫(liu)化(hua)處理(li)制造輥(gun)筒時，由于端部和中央(yang)部分會產生壓(ya)力和熱傳遞差，所(suo)以(yi)電阻值(zhi)不均勻(yun)。