光(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)發電跑(pao)步邁(mai)向平(ping)價上網時代(dai)，低投入(ru)、高產出、易擴張的(de)組件(jian)(jian)(jian)封裝環節技(ji)術有望(wang)快速普及，光(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)組件(jian)(jian)(jian)生(sheng)產廠家，其中“雙面雙玻組件(jian)(jian)(jian)”表現(xian)將為突出。太陽(yang)能(neng)光(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)組件(jian)(jian)(jian)是(shi)一套光(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)系統中的(de)部分，那么(me)它是(shi)怎樣制造的(de)呢？從上游的(de)原材料(liao)到終的(de)光(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)組件(jian)(jian)(jian)產品，需要經過多晶硅(gui)料(liao)、硅(gui)錠/硅(gui)棒、光(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)電池片(pian)、光(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)組件(jian)(jian)(jian)等四(si)個(ge)環節，然后才能(neng)鋪在(zai)屋頂(ding)上發電。

光(guang)(guang)伏(fu)組(zu)(zu)件(jian)(jian)為了獲得良(liang)(liang)好(hao)的(de)導電(dian)性(xing)能，光(guang)(guang)伏(fu)組(zu)(zu)件(jian)(jian)生產(chan)，電(dian)池(chi)片(pian)往往采用(yong)銀漿導電(dian)。電(dian)池(chi)片(pian)上的(de)白亮色就(jiu)是(shi)鍍上去的(de)銀漿用(yong)于導電(dian)。正(zheng)是(shi)因為光(guang)(guang)伏(fu)組(zu)(zu)件(jian)(jian)中多晶(jing)組(zu)(zu)件(jian)(jian)制(zhi)造(zao)流程(cheng)(cheng)相對“粗(cu)放”，多晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)錠在鑄(zhu)造(zao)的(de)過程(cheng)(cheng)中就(jiu)直接鑄(zhu)造(zao)成為“方(fang)(fang)形硅(gui)(gui)(gui)錠”而無需切方(fang)(fang)流程(cheng)(cheng)，光(guang)(guang)伏(fu)組(zu)(zu)件(jian)(jian)，制(zhi)作出來的(de)硅(gui)(gui)(gui)片(pian)也是(shi)的(de)正(zheng)方(fang)(fang)形（單晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)片(pian)的(de)四(si)角則為圓弧）。光(guang)(guang)伏(fu)組(zu)(zu)件(jian)(jian)對晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)電(dian)池(chi)組(zu)(zu)件(jian)(jian)背板的(de)性(xing)能要求通(tong)常(chang)包括：1.具有良(liang)(liang)好(hao)的(de)耐氣候性(xing)能；2.層壓溫度下不起任何(he)變(bian)化(hua)。

光(guang)伏組(zu)件(jian)(jian)是(shi)(shi)一(yi)套光(guang)伏系(xi)統中的部(bu)分，那么(me)它是(shi)(shi)怎樣(yang)制造(zao)(zao)的呢？從上(shang)游的原材料到終的光(guang)伏組(zu)件(jian)(jian)產(chan)品，需要(yao)經過多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)料、硅(gui)(gui)(gui)錠(ding)/硅(gui)(gui)(gui)棒、光(guang)伏電池片(pian)、光(guang)伏組(zu)件(jian)(jian)等四個環節(jie)，然后才能鋪在屋頂上(shang)發電。光(guang)伏組(zu)件(jian)(jian)中多(duo)晶(jing)(jing)組(zu)件(jian)(jian)制造(zao)(zao)流程就相對“粗放”一(yi)些，在多(duo)晶(jing)(jing)爐中直接(jie)(jie)融(rong)化(hua)多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)制作成“多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)錠(ding)”，由于是(shi)(shi)直接(jie)(jie)鑄(zhu)錠(ding)而非緩(huan)慢生長，硅(gui)(gui)(gui)錠(ding)的內部(bu)晶(jing)(jing)粒相對雜亂無章一(yi)些。