但(dan)是靶材制作(zuo)(zuo)困(kun)難，這(zhe)(zhe)是因為氧化銦(yin)不(bu)容易燒(shao)結在(zai)一起。一般(ban)采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作(zuo)(zuo)為燒(shao)結添(tian)加(jia)劑，能夠(gou)獲得密(mi)度為理論值(zhi)的93%~98%的靶材，這(zhe)(zhe)種方式形成的ITO薄膜的性(xing)能與添(tian)加(jia)劑的關系極大。日本(ben)的科學家采用Bizo作(zuo)(zuo)為添(tian)加(jia)劑，Bi2O3在(zai)820Cr熔化，在(zai)l500℃的燒(shao)結溫(wen)度超(chao)出(chu)部分已經揮(hui)發，這(zhe)(zhe)樣能夠(gou)在(zai)液(ye)相(xiang)燒(shao)結條(tiao)件下得到比較純的ITO靶材。而且所需(xu)要(yao)的氧化物原料也不(bu)一定是納(na)米顆粒，這(zhe)(zhe)樣可以簡(jian)化前期的工序。

而未米(mi)(mi)的(de)0.18um}藝(yi)甚至(zhi)0.13m工藝(yi)，所需(xu)要(yao)的(de)靶(ba)材純(chun)度(du)將要(yao)求達到5甚至(zhi)6N以(yi)上(shang)。銅(tong)與(yu)鋁相(xiang)比(bi)較，純(chun)銀靶(ba)材誰家好，銅(tong)具有更(geng)高的(de)抗電(dian)遷移(yi)能(neng)力及更(geng)低的(de)電(dian)阻率，純(chun)銀靶(ba)材廠家，能(neng)夠滿足(zu)！導(dao)體工藝(yi)在0.25um以(yi)下的(de)亞(ya)微米(mi)(mi)布線的(de)需(xu)要(yao)但卻(que)帶米(mi)(mi)了其他(ta)的(de)問(wen)題：銅(tong)與(yu)有機介(jie)質(zhi)材料的(de)附著強(qiang)度(du)低．并且容(rong)易(yi)發生反應，導(dao)致在使用過程中芯片的(de)銅(tong)互連線被腐蝕而斷(duan)路。

為(wei)了解決以上這些問(wen)題，需要在(zai)銅(tong)(tong)與介質層(ceng)(ceng)(ceng)之(zhi)間設置(zhi)阻(zu)擋(dang)層(ceng)(ceng)(ceng)。阻(zu)擋(dang)層(ceng)(ceng)(ceng)材(cai)料一般(ban)采用高(gao)熔點、高(gao)電(dian)阻(zu)率的(de)金(jin)屬(shu)及其化合物，純銀靶材(cai)報價，因(yin)此要求阻(zu)擋(dang)層(ceng)(ceng)(ceng)厚度小于(yu)50nm，與銅(tong)(tong)及介質材(cai)料的(de)附著性(xing)能良好。銅(tong)(tong)互(hu)連和鋁互(hu)連的(de)阻(zu)擋(dang)層(ceng)(ceng)(ceng)材(cai)料是不同的(de)．需要研制新的(de)靶材(cai)材(cai)料。銅(tong)(tong)互(hu)連的(de)阻(zu)擋(dang)層(ceng)(ceng)(ceng)用靶材(cai)包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是難(nan)熔金(jin)屬(shu)．制作(zuo)相對(dui)困難(nan)，如今正在(zai)研究(jiu)鉬、鉻等的(de)臺金(jin)作(zuo)為(wei)替代材(cai)料。

精鋁經過區(qu)(qu)熔提(ti)(ti)純(chun)(chun)，只能達到(dao)5 的(de)高純(chun)(chun)鋁，但如(ru)使用在有機物電(dian)解(jie)液中(zhong)進行(xing)電(dian)解(jie)，可(ke)將鋁提(ti)(ti)純(chun)(chun)到(dao)99.9995%，并可(ke)除去有不利分配系數的(de)雜質(zhi)，然后進行(xing)區(qu)(qu)熔提(ti)(ti)純(chun)(chun)數次，就能達到(dao)接近于 7 的(de)純(chun)(chun)度(du)，雜質(zhi)總含量

制備(bei)化合(he)物半導體的(de)金屬如(ru)銦、磷，可利用氯化物精(jing)餾氫還原、電解精(jing)煉、區熔(rong)及拉晶提純等方法制備(bei)超(chao)純金屬，總(zong)金屬雜質含量(liang)為 0.1～1ppm。其他金屬如(ru)銀(yin)、金、鎘(ge)、、鉑(bo)等也(ye)能(neng)達(da)到≥6 的(de)水平(ping)。