在儲存(cun)(cun)技(ji)術方(fang)面，高密度、大(da)容量(liang)硬盤(pan)的(de)(de)(de)(de)(de)發(fa)展(zhan)，需(xu)(xu)要大(da)量(liang)的(de)(de)(de)(de)(de)巨(ju)磁(ci)(ci)阻薄(bo)膜(mo)(mo)材料，CoF~Cu多層(ceng)復(fu)合(he)膜(mo)(mo)是(shi)如今應用(yong)廣泛(fan)的(de)(de)(de)(de)(de)巨(ju)磁(ci)(ci)阻薄(bo)膜(mo)(mo)結(jie)構(gou)。磁(ci)(ci)光(guang)盤(pan)需(xu)(xu)要的(de)(de)(de)(de)(de)TbFeCo合(he)金(jin)靶材還(huan)在進(jin)一(yi)步發(fa)展(zhan)，酸(suan)霧(wu)吸(xi)收(shou)塔(ta)(ta)，用(yong)它(ta)制造的(de)(de)(de)(de)(de)磁(ci)(ci)光(guang)盤(pan)具有存(cun)(cun)儲容量(liang)大(da)，酸(suan)霧(wu)吸(xi)收(shou)塔(ta)(ta)生產，壽(shou)命長，可反復(fu)無接觸擦寫(xie)的(de)(de)(de)(de)(de)特點。如今開發(fa)出(chu)來的(de)(de)(de)(de)(de)磁(ci)(ci)光(guang)盤(pan)，酸(suan)霧(wu)吸(xi)收(shou)塔(ta)(ta)廠，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的(de)(de)(de)(de)(de)層(ceng)復(fu)合(he)膜(mo)(mo)結(jie)構(gou)，TbFeCo/AI結(jie)構(gou)的(de)(de)(de)(de)(de)Kerr旋轉角達到58，而TbFeCofFa則可以(yi)接近0.8。經過(guo)研究發(fa)現，酸(suan)霧(wu)吸(xi)收(shou)塔(ta)(ta)廠家(jia)，低磁(ci)(ci)導(dao)率的(de)(de)(de)(de)(de)靶材高交流局部放電電壓l抗電強度。

用于復印機和打印機等的帶電(dian)輥、顯影(ying)輥、色粉(fen)供給輥、轉(zhuan)印輥等都必須(xu)具(ju)備適當的穩定(ding)的電(dian)阻值(zhi)。

以往，使上述輥(gun)筒具有導(dao)電(dian)(dian)性(xing)的方法(fa)包括采用在橡(xiang)膠中混(hun)入了金屬(shu)氧化物粉末和碳黑(hei)等(deng)導(dao)電(dian)(dian)性(xing)填充(chong)劑的電(dian)(dian)子導(dao)電(dian)(dian)性(xing)橡(xiang)膠的方法(fa)；采用聚(ju)氨酯(zhi)橡(xiang)膠、表氯橡(xiang)膠等(deng)離子導(dao)電(dian)(dian)性(xing)橡(xiang)膠(聚(ju)合(he)物)或含有季(ji)銨鹽等(deng)離子導(dao)電(dian)(dian)材料的離子導(dao)電(dian)(dian)性(xing)聚(ju)合(he)物的組合(he)物的方法(fa)。

但是(shi)靶(ba)材(cai)制作(zuo)(zuo)困難，這是(shi)因為氧化(hua)(hua)銦不容易燒(shao)結(jie)在(zai)(zai)一起。一般采(cai)用ZrO2、Bi2O3、CeO等作(zuo)(zuo)為燒(shao)結(jie)添加劑(ji)，能(neng)夠獲得(de)密(mi)度為理(li)論(lun)值(zhi)的(de)93%~98%的(de)靶(ba)材(cai)，這種方式形成的(de)ITO薄膜(mo)的(de)性(xing)能(neng)與添加劑(ji)的(de)關(guan)系(xi)極(ji)大(da)。日本(ben)的(de)科(ke)學(xue)家采(cai)用Bizo作(zuo)(zuo)為添加劑(ji)，Bi2O3在(zai)(zai)820Cr熔化(hua)(hua)，在(zai)(zai)l500℃的(de)燒(shao)結(jie)溫度超出部分已經揮發，這樣能(neng)夠在(zai)(zai)液相燒(shao)結(jie)條件下得(de)到比較純的(de)ITO靶(ba)材(cai)。而(er)且(qie)所需要的(de)氧化(hua)(hua)物原(yuan)料也不一定是(shi)納米顆粒(li)，這樣可(ke)以簡化(hua)(hua)前期的(de)工(gong)序。