區域提純(chun)后的金屬鍺，其錠底表面上的電(dian)阻率為(wei)30～50歐姆 ?厘(li)米(mi)(mi)時(shi)，純(chun)度相當于(yu)8～9，可以滿足電(dian)子(zi)(zi)器(qi)件的要(yao)求。但對(dui)于(yu)雜質濃度小于(yu)[KG2]10原子(zi)(zi)/厘(li)米(mi)(mi)[KG2]的探測(ce)器(qi)級超純(chun)鍺，則(ze)尚須(xu)經過特殊處理(li)。

由于(yu)(yu)(yu)鍺中有(you)少(shao)數雜質如磷(lin)、鋁、硅(gui)、硼的(de)(de)分配系數接(jie)近于(yu)(yu)(yu)1或(huo)大于(yu)(yu)(yu)1，要加(jia)強化(hua)學提純方(fang)法除去(qu)(qu)這(zhe)些雜質，香檳金靶材，然后(hou)再(zai)進(jin)行區熔(rong)提純。電子級純的(de)(de)區熔(rong)鍺錠用霍爾效應測量雜質（載流(liu)子）濃度，一(yi)般可達10～10原子/厘(li)米(mi)。經切頭去(qu)(qu)尾，再(zai)利用多次(ci)拉晶和(he)切割尾，香檳金靶材廠家(jia)，一(yi)直(zhi)達到所(suo)要求(qiu)的(de)(de)純度（10原子/厘(li)米(mi)），這(zhe)樣純度的(de)(de)鍺（相當于(yu)(yu)(yu)13）所(suo)作的(de)(de)探測器，其分辨率已接(jie)近于(yu)(yu)(yu)理論數值。

濺(jian)射(she)靶(ba)材(cai)(cai)的(de)要求較(jiao)傳統材(cai)(cai)料行業(ye)高(gao)(gao)，一般(ban)要求如，尺寸、平整度(du)、純(chun)度(du)、各項雜質含(han)量(liang)、密(mi)度(du)、N/O/C/S、晶粒(li)尺寸與缺陷控制(zhi)；較(jiao)高(gao)(gao)要求或特(te)殊要求包含(han)：表面粗糙度(du)、電阻值、晶粒(li)尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物（氧化物）含(han)量(liang)與尺寸、導磁率、超(chao)高(gao)(gao)密(mi)度(du)與超(chao)細晶粒(li)等(deng)(deng)等(deng)(deng)。磁控濺(jian)射(she)鍍膜是一種新型的(de)物相(xiang)鍍膜方式，就是用(yong)電子系(xi)統把電子發射(she)并聚焦在被(bei)(bei)鍍的(de)材(cai)(cai)料上(shang)，使其被(bei)(bei)濺(jian)射(she)出來的(de)原(yuan)子遵循動量(liang)轉換原(yuan)理以(yi)較(jiao)高(gao)(gao)的(de)動能(neng)脫(tuo)離(li)材(cai)(cai)料飛向(xiang)基片淀積成膜。這(zhe)種被(bei)(bei)鍍的(de)材(cai)(cai)料就叫(jiao)濺(jian)射(she)靶(ba)材(cai)(cai)。 濺(jian)射(she)靶(ba)材(cai)(cai)有金(jin)屬，合(he)金(jin)，香(xiang)檳金(jin)靶(ba)材(cai)(cai)價(jia)格，陶(tao)瓷化合(he)物等(deng)(deng)。

熱(re)壓(ya)(ya)法(fa)：ITO靶(ba)材的(de)熱(re)壓(ya)(ya)制作(zuo)過程是在(zai)石墨或氧化鋁制的(de)模具內(nei)充填(tian)入適(shi)當粉末以(yi)后，以(yi) 100kgf/cm 2～1000kgf/cm 2的(de)壓(ya)(ya)力單軸向加壓(ya)(ya)，香檳金靶(ba)材報價，同時以(yi)1000℃～1600℃進行燒(shao)結(jie)。熱(re)壓(ya)(ya)工(gong)藝(yi)制作(zuo)過程所需(xu)的(de)成型壓(ya)(ya)力較小，燒(shao)結(jie)溫度較低，燒(shao)結(jie)時間較短(duan)。但熱(re)壓(ya)(ya)法(fa)生產(chan)的(de)ITO靶(ba)材由于缺氧率高，氧含量分布不均勻(yun)，從而影響(xiang)了生產(chan)ITO薄膜的(de)均勻(yun)性，且不能(neng)生產(chan)大(da)尺寸的(de)靶(ba)。